[發明專利]有源矩陣基板、顯示裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 202010719792.3
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN112309333B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 田川晶;渡部卓哉;西村淳;巖瀨泰章;竹內洋平
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225;G09G3/3266;G09G3/36
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

在具備形成有多路分用電路的有源矩陣基板的顯示裝置中，分別生成向作為構成該多路分用電路的開關元件的多個連接控制晶體管的柵極端子施加的多個連接控制信號的升壓電路設置于該多路分用電路內。各升壓電路的內部節點經由通過其他升壓電路的內部節點的升壓后的電壓成為接通狀態的晶體管而被預充電，其后，該升壓電路的內部節點的電壓通過給予多路分用電路的控制信號經由升壓電容器而被升壓。將該升壓后的內部節點的電壓作為連接控制信號而給予連接控制晶體管的柵極端子。

技術領域

本發明涉及有源矩陣基板，更詳細而言，涉及具備多路分用器的有源矩陣基板，上述多路分用器用于將從數據側驅動電路輸出的各數據信號時分地給予兩個以上的數據信號線。而且，本發明涉及具備這樣的有源矩陣基板的顯示裝置及其驅動方法。

背景技術

在有源矩陣型液晶顯示裝置等顯示裝置中，使用形成有多個數據信號線(也稱為“源極線”)、與該多個數據信號線交叉的多個掃描信號線(也稱為“柵極線”)、沿著該多個數據信號線以及該多個掃描信號線以矩陣狀配置的多個像素形成部的有源矩陣基板。在這樣的顯示裝置中，采用以下方式，即，將有源矩陣基板的多個數據信號線以兩個以上的數據信號線作為一組而分組為多組數據信號線組，并對各組的兩個以上的數據信號線時分地給予數據信號的方式(以下稱為“DEMUX方式”)。

在DEMUX方式中，使用分別與上述多個組對應的多個多路分用器，數據側驅動電路對各多路分用器輸出將應該施加于對應的組的兩個以上的數據信號線的兩個以上的數據信號進行了時分復用后的信號(以下稱為“復用數據信號”)。各多路分用器包括：分別與對應的組的兩個以上的數據信號線連接的兩個以上的開關元件。經由對應的多路分用器中的兩個以上的開關元件中的接通狀態的開關元件而對該兩個以上的數據信號線的任一個給予來自數據側驅動電路的各復用數據信號，依次切換各多路分用器中成為接通狀態的開關元件。各數據信號線在對應的多路分用器中與其連接的開關元件為接通狀態時經由該開關元件給予數據信號，其后，若該開關元件變化為斷開狀態，則將作為該數據信號的模擬電壓保持于其布線電容。在這樣作為數據信號的模擬電壓給予了各數據信號線的狀態或者保持的狀態下，通過選擇上述多個掃描信號線的任一個，在與該選擇出的掃描信號線連接的像素形成部寫入該數據信號線的電壓作為像素數據。

在上述那樣的DEMUX方式的有源矩陣型顯示裝置中，為了顯示部的窄邊框化以及數據側驅動電路的輸出端子數、電路量的減少，多路分用器與像素形成部一體(單片)形成于有源矩陣基板的情況較多(以下，將使用這樣多路分用器和像素形成部一體形成的有源矩陣基板的DEMUX方式稱為“單片DEMUX方式”)。

然而，在形成于有源矩陣基板的各像素形成部中，作為開關元件，使用薄膜晶體管(以下簡稱為“TFT”)，作為該TFT的溝道層的材料，有時取代以往使用的非晶硅、低溫多晶硅，使用氧化物半導體。通過氧化物半導體形成有溝道層的TFT(以下稱為“氧化物半導體TFT”)斷開時的漏電電流極少，且能夠使用該TFT實現耗電量低的顯示裝置。但是，氧化物半導體的遷移率比低溫多晶硅的遷移率低。因此，在單片DEMUX方式的顯示裝置中，在使用氧化物半導體TFT的情況下，與使用溝道層由低溫多晶硅形成的TFT(以下稱為“LTPS-TFT”)的情況相比，需要使構成多路分用器的TFT的尺寸變大。若多路分用器中的TFT的尺寸變大，則導致顯示面板的邊框尺寸的增大、耗電量的增加。另外，根據顯示面板的規格，使用氧化物半導體TFT實現多路分用器較為困難。

相對于此，國際公開第2018/190245號小冊子提出以下結構，即，使用用于使應該給予構成用于DEMUX方式的多路分用器的TFT的柵極端子的電壓上升的升壓電路。根據該結構，在使用了氧化物半導體TFT的單片DEMUX方式的顯示裝置中，也能夠抑制邊框尺寸的增大、耗電量的增加。

但是，近年來，DEMUX方式的顯示裝置的顯示圖像的高清晰化、顯示尺寸的擴大正在發展。因此，在國際公開第2018/190245號小冊子中提出的結構中，有時無法與這樣的顯示圖像的高清晰化、顯示尺寸的擴大對應。

發明內容