[發(fā)明專利]一種富含氧空位Bi/BiVO4

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010719187.6
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN111841576B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武占省;薛永濤;何秀方;田飛;李云鋒;張洛紅
• 申請（專利權(quán)）人: 西安工程大學(xué)
• 主分類號: B01J27/04
• 分類號: B01J27/04;B01J23/22;B01J37/10;B01J37/16;B01J37/03;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/34
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 燕肇琪

1.一種富含氧空位Bi/BiVO₄-CdS光催化劑的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實(shí)施：

步驟1：BiVO₄的制備：

將五水硝酸鉍分散在去離子水中，超聲處理，然后均勻攪拌20-30分鐘；將正釩酸鈉添加到混合溶液中，攪拌1-2小時后，將溶液轉(zhuǎn)移到水熱反應(yīng)釜中，在160℃下保持8小時；將黃色粉末用去離子水和無水乙醇洗滌后，即得到BiVO₄；

步驟2：Bi/BiVO₄的制備：

將BiVO₄分散在去離子水中，并均勻攪拌；然后在劇烈攪拌下將NaBH₄溶液緩慢地滴加到上述溶液中；攪拌1-2小時后，將溶液保持1-2小時；將沉淀物用去離子水和無水乙醇充分洗滌幾次，干燥后得到Bi/BiVO₄；

步驟3：Bi/BiVO₄-CdS的制備：

將Bi/BiVO₄添加到含二水乙酸鎘的去離子水中；然后將溶液攪拌30分鐘，以實(shí)現(xiàn)Cd²⁺在Bi/BiVO₄表面上的優(yōu)先吸收；將硫脲加入上述溶液中并在80-100℃下保持20-40分鐘；將沉淀物用去離子水洗滌數(shù)次，并在真空烘箱中干燥后得到Bi/BiVO₄-CdS光催化劑；

所述步驟1中，五水硝酸鉍、去離子水、正釩酸鈉之間的質(zhì)量比為：0.06-0.1:40-45:0.1-0.15；

所述步驟2中，NaBH₄/BiVO₄摩爾比＝0.18-0.22；

所述步驟3中，Bi/BiVO₄、二水乙酸鎘、硫脲的質(zhì)量比0.02-0.06:1.2-1.6:0.6-1；

所述步驟2中去離子水為25mL；

所述步驟2中NaBH₄為13mL；

所述步驟2中，將BiVO₄分散在25mL去離子水中，均勻攪拌的時間為10-20分鐘；

所述步驟1中，超聲處理的時間為10-20分鐘，黃色粉末用去離子水和無水乙醇洗滌3次以上；

所述步驟2中，干燥溫度為40-60℃，干燥時間為10-12小時；

所述步驟3中，真空烘箱的溫度為60-80℃，干燥時間為10-12小時。