本公開涉及一種對顯示裝置的劣化進(jìn)行補償?shù)姆椒ǎǎ焊袦y流經(jīng)連接至像素的感測線的第一感測電流，其包括用于將預(yù)定顏色的數(shù)據(jù)電壓寫入像素的存儲電容器的編程時段；感測感測線的感測電壓，其包括用于對連接至感測線的線性電容器進(jìn)行充電的時段；使用從第一感測電流和感測電壓估計的第二感測電流來估計有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電極的電壓；以及使用陽極電極的電壓確定劣化補償值。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2019年7月23日提交的第10-2019-0089098號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和從其產(chǎn)生的所有權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的示例性實施例涉及對顯示裝置的劣化進(jìn)行補償?shù)姆椒ā?/p>

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)顯示器使用其亮度由電流或電壓控制的OLED和驅(qū)動OLED的薄膜晶體管(“TFT”)。OLED包括形成電場的陽極層和陰極層，以及通過電場發(fā)光的有機(jī)發(fā)光材料。根據(jù)有源層的類型，TFT分為非晶硅(非晶-Si)TFT、低溫多晶硅(“LTPS”)TFT和氧化物TFT。

像素由于OLED和TFT的劣化而劣化，并且像素的劣化引起像素的亮度降低。即使當(dāng)恒定電壓被施加到像素時，由于OLED和TFT的劣化，流經(jīng)像素的電流減小，因此，像素的亮度降低。

發(fā)明內(nèi)容

考慮到像素的劣化，可以在產(chǎn)品出廠時設(shè)置提供像素的驅(qū)動電流的電源電壓，但是在這種情況下，甚至在有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)和薄膜晶體管(“TFT”)劣化之前供應(yīng)高于理想電壓的電壓，這增加了顯示裝置的功耗。

本公開要解決的問題是提供一種對顯示裝置的劣化進(jìn)行補償?shù)姆椒ǎ摲椒軌蛟谙袼仳?qū)動電流不能被直接測定時對像素的劣化進(jìn)行補償。

本公開的問題不限于上述問題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從下面的描述清楚地理解未描述的其他技術(shù)問題。

根據(jù)解決上述問題的本公開的對顯示裝置的劣化進(jìn)行補償?shù)姆椒ǖ氖纠詫嵤├ǎ焊袦y流經(jīng)連接至像素的感測線的第一感測電流，其包括用于將預(yù)定顏色的數(shù)據(jù)電壓寫入所述像素的存儲電容器的編程時段；感測所述感測線的感測電壓，其包括用于對連接至所述感測線的線性電容器充電的時段；使用從所述第一感測電流和所述感測電壓估計的第二感測電流來估計有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電極的電壓；以及使用所述陽極電極的所述電壓確定劣化補償值。

在示例性實施例中，所述像素可以包括：第二晶體管，所述第二晶體管包括連接至施加有所述數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線的第一端子、連接至第一節(jié)點的第二端子、以及連接至施加有第一掃描信號的第一掃描線的第一柵極端子；第一晶體管，所述第一晶體管包括連接至施加有第一電力信號的第一電力線的第三端子、連接至第二節(jié)點的第四端子、以及連接至所述第一節(jié)點的第二柵極端子；第三晶體管，所述第三晶體管包括連接至所述感測線的第五端子、連接至所述第二節(jié)點的第六端子、以及連接至施加有第二掃描信號的第二掃描線的第三柵極端子；所述存儲電容器，所述存儲電容器包括連接至所述第一節(jié)點的第一電極、以及連接至所述第二節(jié)點的第二電極；和所述有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括連接至所述第二節(jié)點的所述陽極電極、以及連接至第二電力線的陰極電極，所述第二電力線施加有電平低于所述第一電力信號的電平的第二電力信號。

在示例性實施例中，所述第二晶體管可以響應(yīng)于所述第一掃描線的邏輯而導(dǎo)通，以在所述編程時段中將所述數(shù)據(jù)電壓寫入所述存儲電容器。

在示例性實施例中，所述數(shù)據(jù)電壓可以具有通過將所述像素的閾值電壓補償數(shù)據(jù)的值與所述像素的基準(zhǔn)電壓的值相加而獲得的值。

在示例性實施例中，在將所述數(shù)據(jù)電壓寫入所述存儲電容器之后，所述第三晶體管可以響應(yīng)于所述第二掃描線的邏輯而導(dǎo)通，以將初始化電壓從所述感測線施加到所述第二節(jié)點。