[發明專利]CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法

在審

• 申請號: 202010717998.2
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN111725247A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 張棟;黃鵬
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

提供帶有接觸隔離層的CIS器件；所述CIS器件的接觸隔離層包括由下至上依次覆蓋在有源區上的硅化物阻擋層的第一層、硅化物阻擋層的第二層、刻蝕停止層和層間絕緣層；

在所述CIS器件的接觸隔離層上，通過光刻工藝，對準CIS器件的源/漏區，定義出接觸孔圖案；

根據所述接觸孔圖案，刻蝕所述層間絕緣層，將所述接觸孔圖案轉移到所述層間絕緣層上；

根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕所述刻蝕停止層和硅化物阻擋層的第二層，使得第一刻蝕停止面位于所述硅化物阻擋層的第一層中；

根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕所述硅化物阻擋層的第一層，使得第二刻蝕停止面位于所述CIS器件的側墻結構中。

2.如權利要求1所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述CIS器件的源/漏區，位于所述CIS器件相鄰的兩個柵極結構之間；

所述柵極結構包括柵多晶硅結構和位于所述柵多晶硅兩側的側墻結構。

3.如權利要求1所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述硅化物阻擋層的第一層為氧化硅層，所述硅化物阻擋層的第二層為氮化硅層。

4.如權利要求3所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材料為氮化硅。

5.如權利要求4所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕所述刻蝕停止層和硅化物阻擋層的第二層，使得第一刻蝕停止面位于所述硅化物阻擋層的第一層中的步驟，包括：

采用氮化硅與氧化硅之間的刻蝕選擇比在6：1至11：1之間，根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕材料為氮化硅的所述刻蝕停止層和硅化物阻擋層的第二層，使得第一刻蝕停止面位于所述硅化物阻擋層的第一層中。

6.如權利要求4所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕所述硅化物阻擋層的第一層，使得第二刻蝕停止面位于所述CIS器件的側墻結構中的步驟，包括：

采用氧化硅和氮化硅之間的刻蝕選擇比在6：1至11：1之間，根據所述層間絕緣層上的接觸孔圖案，刻蝕材料為氧化硅的所述硅化物阻擋層的第一層，使得第二刻蝕停止面位于所述CIS器件的側墻結構中。

7.如權利要求6所述的CIS芯片漏源接觸孔的自對準刻蝕方法，其特征在于，所述側墻結構的材料包括氮化硅。