[發明專利]一種金屬封裝材料、TR組件、制備方法和雷達

在審

• 申請號: 202010716907.3
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN111681992A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 廖全文;翁俊;陳天雄
• 申請（專利權）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號: H01L23/06
• 分類號: H01L23/06;H01L23/29;H01L21/48
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 徐琪琦

本發明涉及一種金屬封裝材料、TR組件、制備方法和雷達，當在殼體鍍覆層的表面焊接混合集成電路后，通過應力釋放層能釋放因溫度變化導致的金屬殼體與混合集成電路之間的應力，減小金屬封裝材料的應力形變，因此，突破了對混合集成電路的封裝尺寸的限制，也提高了封裝后的混合集成電路的性能，適用性強。

技術領域

本發明涉及金屬封裝材料及TR組件技術領域，尤其涉及一種具有金屬封裝材料。

背景技術

金屬封裝材料具有提供機械支撐、物理保護、電氣連接和散熱等作用，在封裝雷達的混合集成電路中具有廣泛的應用，傳統金屬封裝材料具有很多不足之處，例如材質為鋁硅合金的金屬封裝材料，在焊接或電鍍時產生的溫度變化使該金屬封裝材料產生較大的應力形變，只適用于對一定尺寸以下的混合集成電路進行封裝，若對較大尺寸的混合集成電路進行封裝，由于金屬封裝材料產生較大形變，降低了封裝后的混合集成電路的性能，或直接損壞混合集成電路，因此，傳統金屬封裝材料既限制了混合集成電路的封裝尺寸，又限制了封裝后的混合集成電路的性能，適用性較低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供了一種金屬封裝材料、一種TR組件、一種用于制備金屬封裝材料的制備方法、用于制備TR組件的制備方法、一種雷達。

本發明的一種金屬封裝材料的技術方案如下：

包括金屬殼體、應力釋放層和用于焊接混合集成電路的殼體鍍覆層，所述應力釋放層位于所述金屬殼體與所述殼體鍍覆層之間。

本發明的一種金屬封裝材料的有益效果如下：

當在殼體鍍覆層的表面焊接混合集成電路后，通過應力釋放層能釋放因溫度變化導致的金屬殼體與混合集成電路之間的應力，減小金屬封裝材料的應力形變，因此，突破了對混合集成電路的封裝尺寸的限制，也提高了封裝后的混合集成電路的性能，適用性強。

在上述方案的基礎上，本發明的一種金屬封裝材料還可以做如下改進。

進一步，所述應力釋放層的厚度范圍為1μm～100μm，所述應力釋放層的材質為石墨烯或碳納米管。

進一步，所述金屬殼體的材質為金或鎳，所述金屬殼體的材質為鋁合金或鋁硅合金。

本發明的一種TR組件的技術方案如下：

包括混合集成電路和上述任一項所述的一種金屬封裝材料，所述混合集成電路焊接在所述殼體鍍覆層的另一面。

本發明的一種TR組件的有益效果如下：

當在金屬封裝材料的殼體鍍覆層的表面焊接混合集成電路后，形成TR組件，通過應力釋放層能釋放因溫度變化導致的金屬殼體與混合集成電路之間的應力，減小金屬封裝材料的應力形變，提高了TR組件的性能，而且，金屬封裝材料突破了對混合集成電路的封裝尺寸的限制，因此能制作各種尺寸的TR組件。

本發明的一種TR組件的技術方案如下：

包括混合集成電路鍍覆層、混合集成電路和上述任一項所述的一種金屬封裝材料，所述混合集成電路鍍覆層位于所述混合集成電路和所述殼體鍍覆層之間。

本發明的一種TR組件的有益效果如下：

通過應力釋放層能釋放因溫度變化導致的金屬殼體與混合集成電路之間的應力，減小金屬封裝材料的應力形變，提高了TR組件的性能，其中，通過混合集成電路鍍覆層，連接混合集成電路更為牢固，使TR組件中的混合集成電路不易掉落，而且，金屬封裝材料突破了對混合集成電路的封裝尺寸的限制，因此能制作各種尺寸的TR組件。

進一步，所述混合集成電路鍍覆層的材質為金或鎳。

本發明的一種用于上述任一項所述的一種金屬封裝材料的制備方法的技術方案如下：