[發明專利]芯片封裝結構及其制備方法、具有芯片封裝結構的設備

在審

• 申請號: 202010700920.X
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111896129A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 田雨洪
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號: G01K1/14
• 分類號: G01K1/14;G01K7/02;G01K1/08;G01K13/00;G01K7/12;H01L23/04;H01L23/10;H01L21/52
• 代理公司: 廣州德科知識產權代理有限公司 44381
• 代理人: 萬振雄;陳曉妍

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：

基板；

芯片，所述芯片固定在所述基板上，且所述芯片與所述基板電連接；

熱電偶絲，所述熱電偶絲固定在所述芯片遠離所述基板的一面上，所述熱電偶絲包括第一熱電極和第二熱電極，所述第一熱電極的第一端與所述第二熱電極的第一端電連接，所述第一熱電極的第二端、所述第二熱電極的第二端分別與所述芯片電連接；在工作狀態下，所述第一熱電極的第二端與所述第二熱電極的第二端之間通過所述芯片電連接，以使所述第一熱電極與所述第二熱電極之間形成回路；其中，所述第一熱電極和所述第二熱電極分別采用不同材料的導體和/或半導體，用于使所述第一熱電極和所述第二熱電極之間形成熱電動勢差；

塑封外殼，所述塑封外殼固定在所述基板上，且所述芯片和所述熱電偶絲封裝在所述塑封外殼的內部。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一熱電極和所述第二熱電極分別為銅和銅鎳、鐵和銅鎳、鎳鉻和銅鎳、鎳鉻和鎳硅、鎳鉻硅和鎳硅、鉑銠₁₀和鉑、鉑銠₁₃和鉑、或者鉑銠₃₀和鉑銠₆。

3.根據權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一熱電極與所述第二熱電極中的一者采用銅絲、另一者采用銅鎳合金絲，其中采用的所述銅絲的直徑為25μm。

4.根據權利要求1至3任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一熱電極與所述第二熱電極的電連接端為熱端，所述第一熱電極與所述芯片的電連接端、所述第二熱電極與所述芯片的電連接端均為冷端。

5.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一熱電極的第一端與所述第二熱電極的第一端通過激光焊接電連接。

6.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，在所述熱端外部設置有導熱層，至少部分所述導熱層封裝在所述塑封外殼內部。

7.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一熱電極的第二端、所述第二熱電極的第二端分別與所述芯片通過焊接工藝電連接，所述焊接工藝為超聲波焊接、熱壓焊接或熱超聲焊接。

8.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述塑封外殼為隔熱外殼。

9.根據權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，在對應于所述熱端位置處的所述塑封外殼具有凸出部，所述凸出部的外表面靠近或者接觸待檢測對象。

10.根據權利要求1至3任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構中設有至少兩對串聯設置的所述熱電偶絲，至少兩對所述熱電偶絲組成熱電偶堆。

11.根據權利要求1至10任一項所述的芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

提供所述基板、所述芯片、所述第一熱電極和所述第二熱電極；

將所述芯片固定在所述基板上，通過焊接使所述芯片與所述基板電連接；

通過焊接使所述第一熱電極的第一端和所述第二熱電極的第一端電連接，通過焊接使所述第一熱電極的第二端與所述芯片遠離所述基板的一面電連接、通過焊接使所述第二熱電極的第二端與所述芯片遠離所述基板的一面電連接，使所述第一熱電極和所述第二熱電極形成所述熱電偶絲；

使用塑封材料對所述基板、所述芯片、所述熱電偶絲進行塑封，形成固定在所述基板上的塑封殼體，且所述塑封殼體內部封裝有所述芯片和所述熱電偶絲，得到所述芯片封裝結構。

12.一種具有芯片封裝結構的設備，其特征在于，包括設備殼體，以及安裝在所述設備殼體中的芯片封裝結構，所述芯片封裝結構為如權利要求1至10任一項所述的芯片封裝結構。