[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010697170.5
• 申請(qǐng)日: 2020-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN111883486A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡小波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786;G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 裴磊磊

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板及其制造方法、顯示裝置，制造方法包括如下步驟：于陣列基板上形成鈍化層，陣列基板包括薄膜晶體管以及導(dǎo)電墊，鈍化層覆蓋薄膜晶體管以及導(dǎo)電墊；于鈍化層形成上形成整面的碳膜；采用一次構(gòu)圖工藝對(duì)碳膜以及鈍化層進(jìn)行圖案化以去除導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的鈍化層以及碳膜，得到陣列基板。通過以碳膜作為遮光層，且采用一道構(gòu)圖工藝完成碳膜以及鈍化層的圖案化，以減少光罩使用數(shù)目。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管微型化發(fā)展成未來顯示技術(shù)的熱點(diǎn)之一，和目前的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)以及有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting，OLED)顯示器件相比，具有反應(yīng)快、高色域、高分辨率(Pixels Per Inch，PPI)以及低能耗等優(yōu)勢(shì)。然而，發(fā)光二極管微型化技術(shù)難點(diǎn)多且技術(shù)復(fù)雜，特別是其關(guān)鍵技術(shù)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)顆粒微型化成為技術(shù)瓶頸，而亞毫米發(fā)光二極管(Mini-LED)背板作為微型發(fā)光二極管與背板結(jié)合的產(chǎn)物，其具有高對(duì)比度、高顯色性能等可與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件相媲美的特點(diǎn)，其成本稍高于液晶顯示器且僅為有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的六成左右，相對(duì)微型發(fā)光二極管(Micro-LED)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件更易實(shí)施，所以亞毫米發(fā)光二極管成為各大面板廠商布局熱點(diǎn)。

如圖1所示，其為傳統(tǒng)亞毫米發(fā)光二極管背光模組的示意圖。傳統(tǒng)亞毫米發(fā)光二極管背光模組包括陣列層以及圖案化黑色有機(jī)光阻層104，陣列層包括薄膜晶體管101、用于綁定亞毫米發(fā)光二極管的導(dǎo)電電極102、用于綁定覆晶薄膜的綁定引腳(未示出)以及覆蓋薄膜晶體管101且使導(dǎo)電電極102以及綁定引腳顯露的鈍化層103，圖案化黑色有機(jī)光阻層104對(duì)應(yīng)薄膜晶體管101設(shè)置。由于鈍化層103的圖案化以及黑色有機(jī)光阻層的圖案化分別需要一個(gè)光罩，使得傳統(tǒng)亞毫米發(fā)光二極管背光模組的光罩使用數(shù)目較多。

因此，有必要提出一種技術(shù)方案以減少傳統(tǒng)亞毫米發(fā)光二極管背光模組制造過程中光罩的使用數(shù)目。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，以減少制造陣列基板所需的光罩使用數(shù)目。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板的制造方法，所述制造方法包括如下步驟：

于陣列基板上形成鈍化層，所述陣列基板包括薄膜晶體管以及導(dǎo)電墊，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管以及所述導(dǎo)電墊；

于所述鈍化層上形成整面的碳膜；

采用一次構(gòu)圖工藝去除所述導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的所述鈍化層以及所述碳膜，得到所述陣列基板。

在上述陣列基板的制造方法中，采用一次構(gòu)圖工藝去除所述導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的所述鈍化層以及所述碳膜包括如下步驟：

于所述碳膜遠(yuǎn)離所述鈍化層的表面形成光阻層；

利用光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光以及顯影液顯影后，得到圖案化光阻層；

利用等離子體與所述圖案化光阻層未覆蓋的所述碳膜進(jìn)行反應(yīng)，以去除所述導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的碳膜。

在上述陣列基板的制造方法中，所述等離子體由氧氣或氫氣制備得到。

在上述陣列基板的制造方法中，去除所述導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的所述碳膜后，所述方法還包括：

利用干法蝕刻去除所述導(dǎo)電墊對(duì)應(yīng)的所述鈍化層。

在上述陣列基板的制造方法中，于所述鈍化層上形成整面的碳膜包括如下步驟：

以石墨為靶材，利用濺射沉積于所述鈍化層上形成整面的碳膜。

在上述陣列基板的制造方法中，所述碳膜的厚度大于100納米。