[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202010697170.5
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111883486A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 胡小波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786;G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 裴磊磊

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步驟：

于陣列基板上形成鈍化層，所述陣列基板包括薄膜晶體管以及導電墊，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管以及所述導電墊；

于所述鈍化層上形成整面的碳膜；

采用一次構圖工藝去除所述導電墊對應的所述鈍化層以及所述碳膜，得到所述陣列基板。

2.根據權利要求1所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用一次構圖工藝去除所述導電墊對應的所述鈍化層以及所述碳膜包括如下步驟：

于所述碳膜遠離所述鈍化層的表面形成光阻層；

利用光罩對所述光阻層進行曝光以及顯影液顯影后，得到圖案化光阻層；

利用等離子體與所述圖案化光阻層未覆蓋的所述碳膜進行反應，以去除所述導電墊對應的碳膜。

3.根據權利要求2所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述等離子體由氧氣或氫氣制備得到。

4.根據權利要求2所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述導電墊對應的所述碳膜后，所述方法還包括：

利用干法蝕刻去除所述導電墊對應的所述鈍化層。

5.根據權利要求1所述陣列基板的制造方法，其特征在于，于所述鈍化層上形成整面的碳膜包括如下步驟：

以石墨為靶材，利用濺射沉積于所述鈍化層上形成整面的碳膜。

6.根據權利要求1所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述碳膜的厚度大于100納米。

7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

于所述基板上形成的陣列層，所述陣列層包括薄膜晶體管以及導電墊；

覆蓋所述薄膜晶體管且使所述導電墊暴露的鈍化層；

形成于所述鈍化層上的圖案化碳膜。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述圖案化碳膜的厚度大于100納米。

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括發光元件，所述發光元件綁定于所述導電墊上。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求7-9任一項所述的陣列基板。