[發(fā)明專利]內(nèi)插器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010696794.5
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112290334A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 橋本信一;白井浩史;相澤正幸
• 申請（專利權(quán)）人: 泰科電子日本合同會社
• 主分類號: H01R33/76
• 分類號: H01R33/76;H01R13/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉林華;陳浩然

本發(fā)明提供了內(nèi)插器，其使沿寬度方向鄰接的兩個信號接觸件的間隔比基部彼此的間隔窄，從而使電氣特性提高。第一信號接觸件(40A)和第二信號接觸件(40B)形成信號接觸件對(40P)。這兩個信號接觸件(40A、40B)具有壓入殼體的貫通孔內(nèi)的基部(41A、41B)、第一接觸梁(42A、42B)和第二接觸梁(43A、43B)。構(gòu)成信號接觸件對(40P)的兩個信號接觸件(40A、40B)的各個關(guān)于寬度方向是非對稱的。但是，該接觸件對(40P)具有面對稱的形狀。而且，關(guān)于寬度方向，第一接觸梁(42A、42B)彼此的最小間隔(x2)成為比基部(41A、41B)彼此的最小間隔(x1)窄的間隔。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及內(nèi)插器(interposer)，其由兩個電子部件(包括電路基板)夾著，與在這兩個電子部件的各個形成的連接焊盤相接，將這些電子部件彼此電連接。

背景技術(shù)

一直以來，已知由兩個電子部件夾著并將這些電子部件彼此電連接的內(nèi)插器。該內(nèi)插器具備：板狀的殼體，其具有排列的多個貫通孔；以及多個接觸件，其插入這些多個貫通孔的各個并被殼體保持。

在此，在專利文獻1中公開了具備接觸件的內(nèi)插器，該接觸件從包覆模制了塑料主體的寬度大的中央部起，除前端外，一定寬度的臂上下延伸。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2016-503946號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

構(gòu)成內(nèi)插器的接觸件具有配置在殼體的貫通孔內(nèi)并被殼體保持的基部。而且，該接觸件具備從基部向殼體的第一面及第二面分別延伸的兩個接觸梁。

這兩個接觸梁如上述的專利文獻1那樣，例如形成為彼此相同的形狀。在該專利文獻1的情況下，兩個接觸梁具有越靠前端側(cè)寬度越窄、即前端變細的形狀。另外，這些接觸梁需要將基部配置在貫通孔內(nèi)，因此形成為寬度比基部窄。因此，鄰接的接觸件，它們的基部彼此的間隔為最小的間隔。

可是，特別是關(guān)于傳送信號的信號接觸件，為了電氣特性的提高，優(yōu)選地使沿寬度方向鄰接的兩個信號接觸件的間隔比基部彼此的間隔窄。

本發(fā)明以提供內(nèi)插器作為目的，該內(nèi)插器通過使沿寬度方向鄰接的兩個信號接觸件的間隔比基部彼此的間隔窄，從而使電氣特性提高。

用于解決問題的方案

達成上述目的的本發(fā)明的內(nèi)插器是由兩個電子部件夾著，與在該兩個電子部件中的各個形成的連接焊盤相接而將該兩個電子部件彼此電連接的內(nèi)插器，其特征在于，具有：殼體，其具有朝向兩個電子部件中的第一電子部件側(cè)的第一面、和朝向兩個電子部件中的第二電子部件側(cè)的第二面、以及貫通于第一面和第二面的多個貫通孔；以及信號接觸件對，其由沿寬度方向相互鄰接地配置而承擔(dān)信號的傳送的兩個信號接觸件構(gòu)成，該兩個信號接觸件具備壓入貫通孔的基部、第一接觸梁和第二接觸梁，第一接觸梁從基部向第一面的外側(cè)相對于第一面沿厚度方向傾斜地延伸，并在前端部具有與第一電氣部件相接的第一接點部，第二接觸梁從基部向第二面的外側(cè)相對于第二面沿厚度方向傾斜地延伸，并在前端部具有與第二電氣部件相接的第二接點部，構(gòu)成信號接觸件對的兩個信號接觸件的各個關(guān)于寬度方向是非對稱的，并且關(guān)于寬度方向，由兩個信號接觸件構(gòu)成的接觸件對具有面對稱的形狀，并且具有至少第一接觸梁彼此的第一最小間隔比基部彼此的第二最小間隔窄的間隔。

在本發(fā)明的內(nèi)插器的情況下，信號接觸件對具有面對稱的形狀，但構(gòu)成該信號接觸件對的兩個信號接觸件的各個關(guān)于寬度方向是非對稱的。而且，第一最小間隔比第二最小間隔窄。將該信號接觸件對從第二接觸梁側(cè)插入貫通孔，將基部壓入貫通孔內(nèi)。由此，實現(xiàn)如下的內(nèi)插器：構(gòu)成由間隔比基部彼此的間隔窄的兩個信號接觸件構(gòu)成的信號接觸件對，使電氣特性提高。