[發(fā)明專利]固態(tài)硬盤日志導(dǎo)出方法、系統(tǒng)、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010692355.7
• 申請(qǐng)日: 2020-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN111858532B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F16/18
• 分類號(hào): G06F16/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 劉新雷

本申請(qǐng)公開了一種固態(tài)硬盤日志導(dǎo)出方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：從eeprom中讀取異常掉電次數(shù)和日志保存狀態(tài)；利用日志保存狀態(tài)和異常掉電次數(shù)確定NAND Flash中可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址；利用當(dāng)前固件中已有的NAND Flash的接口，根據(jù)可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址，將NAND Flash中可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊讀取至DDR中；利用當(dāng)前固件中已有的DDR的接口，將DDR中的可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊導(dǎo)出至一個(gè)文件，得到日志文件；本申請(qǐng)利用不跟隨測(cè)試版本變動(dòng)變化的當(dāng)前固件中已經(jīng)設(shè)置好NAND Flash和DDR的接口，將NAND Flash中存儲(chǔ)的日志全部導(dǎo)出，不用在對(duì)每個(gè)固件版本中特別設(shè)置相應(yīng)的日志導(dǎo)出接口，節(jié)省了研發(fā)量，提高了測(cè)試和研發(fā)速度，提高了工作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種固態(tài)硬盤日志導(dǎo)出方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

在固態(tài)硬盤的工廠化生產(chǎn)過程中，要經(jīng)過多個(gè)階段的測(cè)試，以保證出廠的固態(tài)硬盤在pcb、DDR、NAND flash、基本功能和系統(tǒng)功能等各方面均達(dá)到相關(guān)要求。其中，在某些測(cè)試階段需要燒錄測(cè)試firmware，并保存測(cè)試過程中的重要日志信息，在測(cè)試完成后需要燒錄正式firmware，并導(dǎo)出測(cè)試階段所保存的日志，以分析測(cè)試過程中出現(xiàn)的異常情況。

現(xiàn)有導(dǎo)出日志的方法，一般是在正式firmware中額外增加接口，通過該新增的接口將日志導(dǎo)出。但固態(tài)硬盤的正式firmware的版本眾多，有些版本尚在開發(fā)中，而有些版本是較早的，如此一來需要在多個(gè)版本中增加該接口，設(shè)置多個(gè)接口增加了開發(fā)人員的工作量，降低了測(cè)試效率。

因此，需要一種更為方便的日志調(diào)取方法，提高工作效率。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種固態(tài)硬盤日志導(dǎo)出方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，更為方便，提高工作效率。其具體方案如下：

一種固態(tài)硬盤日志導(dǎo)出方法，包括：

從eeprom中讀取異常掉電次數(shù)和日志保存狀態(tài)；

利用所述日志保存狀態(tài)和異常掉電次數(shù)確定NAND Flash中可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址；

利用當(dāng)前固件中已有的所述NAND Flash的接口，根據(jù)所述可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址，將所述NAND Flash中所述可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊讀取至DDR中；

利用當(dāng)前固件中已有的所述DDR的接口，將所述DDR中的所述可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊導(dǎo)出至一個(gè)文件，得到日志文件。

可選的，所述利用所述日志保存狀態(tài)和異常掉電次數(shù)確定NAND Flash中可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址的過程，包括：

利用所述日志保存狀態(tài)確定所述NAND Flash中的所述可讀日志；

利用所述異常掉電次數(shù)和預(yù)設(shè)的子日志長(zhǎng)度，確定所述NAND Flash中所述可讀日志的可讀數(shù)據(jù)塊數(shù)量；

利用預(yù)存的所述可讀日志的首個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的起始物理地址、預(yù)設(shè)的每個(gè)數(shù)據(jù)塊的長(zhǎng)度和所述可讀數(shù)據(jù)塊數(shù)量，確定出所述NAND Flash中可讀日志每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址。

可選的，所述利用當(dāng)前固件中已有的所述NAND Flash的接口，根據(jù)所述可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址，將所述NAND Flash中所述可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊讀取至DDR中的過程，包括：

利用nvme-cli命令調(diào)用當(dāng)前固件中已有的所述NAND Flash的接口，根據(jù)所述可讀日志的每個(gè)可讀數(shù)據(jù)塊的物理地址，將所述NAND Flash中所述可讀日志的全部可讀數(shù)據(jù)塊依序逐個(gè)讀取至DDR中。