[發明專利]高效率QLED結構

在審

• 申請號: 202010692210.7
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112289940A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 大衛·詹姆斯·蒙哥馬利;愛德華·安德魯·伯爾德曼;蒂姆·米迦勒·斯米頓
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

一種發光層結構，通過改變由反射電極引入的相位偏移，最大限度地增加對光發射的相長干涉。發光層結構包括第一和第二光腔，所述第一和第二光腔包括第一和第二反射電極；第一和第二部分透明電極；以及設置在第一和第二反射電極與第一和第二部分透明電極之間的第一和第二發射層(EML)，其中，第一EML發射具有第一波長的光；其中，第一反射電極根據第一波長在第一EML發射的光的反射上引入第一相位偏移；其中，第二EML發射具有第二波長的光，并且第二反射電極根據第二波長在第二EML發射的光的反射上引入第二相位偏移，并且第一相位偏移與第二相位偏移不同。

技術領域

本發明涉及一種用于發光器件的層結構，特別是量子點(QD) 發光二極管(QLEDs)。結合本發明的QLEDs應用在顯示器中，以 降低器件制造的復雜性，同時最小化離軸色偏并最大化器件效率。

背景技術

如US7324574(Kim，2008年1月29日授權)所述，光學腔在 半導體激光制造中是眾所周知的。有機LEDs(OLEDs)和QLEDs 腔的應用也如US 2006/0158098(Raychaudhuri等人，2006年7月20 日公布)、US 9583727(Cho等人，2017年2月28日授權)和US 8471268 (Moon等人，2013年6月25日授權)所述是公知的。Raychaudhuri 等人描述了一種頂部發射OLED結構，Cho等人以及Moon等人描述 了具有位于其中一個為部分發射的反射區域之間的發光區域的 QLED結構。

典型地，QLED像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。 由于這三種子像素的發射波長不同，通常，腔的大小和形狀必須不同， 以便角發射足夠相似，以最小化離軸色偏。具有不同的子像素結構會 增加器件的復雜性，并導致制造的巨大成本，并且通常會在效率上做 出妥協，以獲得可承受的成本。降低制造不同尺寸的子像素的復雜度 的方法包括US 2015/0340410(Hack等人，2019年3月26日公布)， 該方法描述多個子像素內具有不同光路長度的腔。

本領域中所描述的提高性能的其他變形通過增加例如粗糙化或 圖案化等附加處理步驟導致提高LED中的腔結構的制造的復雜性。 例如，US2014/0151651(Jin等人，2014年6月5日公布)描述了頂 部電極的粗糙化以增強提取，US 8894243(Cho等人，2014年11月25日授權)描述了基底反射材料的圖案化。前案所述的進一步變更 通過向器件添加附加層而增加了復雜性。例如，US 9219250(Jeong 等人，2015年12月22日授權)描述了具有交替的高與低反射指數 的條紋層的膜，及US2013/0009925(Ueda等人，2013年1月10日 公布)描述了具有腔外棱鏡層的傾斜發射層。上述現有結構是對LED 基本腔結構的復雜補充。

為了解決設計和制造的復雜性，混合和復合電極解決方案被提 出。例如，US8378570(Yamazaki，2013年2月19日授權)在其導 體層上使用具有不同金屬濃度的雙層。第一層包括一種金屬，第二層 通常是具有不同濃度的非金屬材料(例如碳和氧)的相同的金屬。雙 層導體被提供以改善電荷傳輸并降低操作器件所需的電壓。US 2013/0040516(Pruneri等人，2013年2月14日公布)描述了用于 OLED設備的三層頂部電極，其設計用于降低頂部電極的反射率。間 層是銀層，頂部和底部層是非金屬層，設計用于創建干涉結構，使頂 部電極的反射最小化。

發明內容