[發明專利]像素驅動電路及顯示面板

有效

• 申請號: 202010690981.2
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111768742B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 曹海明
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本申請提供一種像素驅動電路及顯示面板，該像素驅動電路采用3T2C結構，在對第一節點預充電將其電位置為第一電位后，利用當前行柵極輸出信號G(n)通過第一電容將第一節點的電位為從第一電位提升為第二電位，再利用數據信號通過第二電容將第一節點的電位從第二電位提升至第三電位，并且使第三電位大于當前行柵極輸出信號G(n)的高電位而使第一晶體管T1打開并向液晶電容寫入數據。由于該像素驅動電路可以使第一晶體管T1的柵極準位提升至大于當前行柵極輸出信號G(n)的高電位的電位，因此提升了原柵極準位，使第一晶體管T1的驅動能力更強，因此能夠滿足高頻時需要快速充電的要求，能適用于動態幀頻技術。

技術領域

本申請實施例涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素驅動電路及顯示面板。

背景技術

目前的顯示技術要求同時適用于高頻和低頻的情況，以使顯示面板不僅具有高頻帶來的畫質流暢的優點，還具有低頻帶來的低功耗的優點，因此，動態幀頻技術應運而生，該技術可以實時調節顯示面板的刷新頻率，由此同時滿足超低頻和超高頻的顯示需求。對于低頻的顯示需求，由于低頻狀態每幀畫面的 holding時間延長為原先的數十倍，因此要求顯示面板的畫面Holding能力強；對于高頻的顯示需求，由于每行像素的充電時間極短，因此需要顯示面板的充電能力強，并且，如果用高刷新率顯示靜止或速度較低的物體影像，反而會造成顯示面板邏輯功耗過高的問題。

傳統的背板技術有A-Si、LTPS、IGZO技術，與a-Si(非晶硅)技術相比， LTPS(低溫多晶硅)和IGZO(氧化銦鎵鋅)兩種技術由于遷移率較高而被廣泛應用。其中，由于LTPS技術比IGZO技術的遷移率更高、件所占面積更小，因此充電能力更強，更適合于高頻時的應用；而IGZO技術比LTPS技術的均勻性更好、漏電流較小，因此更加省電、畫面holding能力更強，更適合于低頻時的應用。可以理解的是，傳統的背板技術由于技術的單一性，導致性能優點的單一性，無法滿足動態幀頻的需求。

而復合型的LTPO(低溫多晶氧化物)技術由于結合了LTPS和IGZO兩種技術的優點，使得顯示面板同時具有強充電能力和低功耗的特點，同時滿足高頻和低頻的使用需求，因此LTPO技術適用于動態幀頻技術的需求，能達到提升用戶視覺體驗并且優化功耗的目的。

但是如前所述，由于IGZO較LTPO的遷移率低，因此在高頻時由于充電時間較短，IGZO往往會存在充電準位不夠的問題，所以需要將IGZO的充電電流提升，在較短的充電時間內達到充電準位。目前在IGZO有源層上提升充電電流有兩種方式：第一種是增加薄膜晶體管TFT的寬長比，但是這種方法會使薄膜晶體管TFT的尺寸較大、占用空間過多，導致顯示面板開口率降低的問題；第二種是增加顯示面板的所有薄膜晶體管TFT的柵源極電壓差Vgs，但是這種方法會使得所有薄膜晶體管TFT受到的應力Stress增而使得薄膜晶體管TFT容易老化，從而影響驅動電路整體的穩定性，即不僅影響外圍驅動電路的穩定性，還影響AA區驅動電路的穩定性。

參考圖1，圖1為現有的2T1C結構的像素驅動電路圖，該電路采用1T2C 電路，包括驅動開關T10、存儲電容Cst、液晶電容Clc，其中，驅動開關T10 的柵極的輸入為當前行柵極輸出信號G(n)，漏極與存儲電容Cst和液晶電容 Clc的一端電性連接，源極與數據線電性連接。當前行柵極輸出信號G(n)送入信號控制驅動開關T10的開關，當T10打開時數據線將液晶電容Clc和存儲電容Cst充電到所需要的的電壓后T10關閉，存儲電容Cst放電來維持液晶電容Clc的電壓保持到下一次更新。該1T2C電路工作時，由于驅動開關T10只能是單一類型的TFT，而每種TFT都有其優點和缺點，在動態幀頻技術中如果將其既應用于LTPS又應用于IGZO，則在高頻時很可能不能滿足需要提高IGZO 的充電電流的要求。

因此，如何用較高的電壓驅動IGZO來提高IGZO的充電電流，同時保證顯示面板的驅動電路整體的穩定性，成為目前亟待解決的問題。

發明內容