[發明專利]SOI晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 202010672121.6
• 申請日: 2020-07-14
• 公開（公告）號: CN111725299B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 劉俊文
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種SOI晶體管，其特征在于，該SOI晶體管包括：

襯底層，所述襯底層上依次沉積形成隔離層和SOI層，所述SOI層包括有源區；

溝道隔離結構，所述溝道隔離結構包圍在所述SOI有源區的外周；

柵極結構，所述柵極結構設于所述有源區上，設置所述柵極結構的有源區為柵區；

第一導電類型雜質離子區，所述第一導電類型雜質離子區包括兩個，分別形成于所述柵區的兩側；

體接觸區，所述體接觸區形成于，靠近其中一所述第一導電類型雜質離子區一側的所述有源區中；

淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構設于所述體接觸區，和，靠近所述體接觸區的第一導電類型雜質離子區之間；

所述淺溝槽隔離結構包括：

第一淺溝槽隔離結構，與所述體接觸區接觸；

第二淺溝槽隔離結構，與靠近所述體接觸區的所述第一導電類型雜質離子區接觸；

所述第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構相間隔。

2.如權利要求1所述的SOI晶體管，其特征在于，兩個所述第一導電類型雜質離子區，包括：源極區和漏極區，所述源極區和漏極區分別形成于所述柵區兩側的有源區中；

所述體接觸區形成于，靠近所述源極區一側的有源區中，或，靠近所述漏極區一側的有源區中。

3.如權利要求1所述的SOI晶體管，其特征在于，所述體接觸區的摻雜離子為第二導電類型雜質離子，第二導電類型與第一導電類型相反。

4.一種SOI晶體管的制作方法，其特征在于，該SOI晶體管的制作方法包括以下步驟：

提供襯底層，在所述襯底層上依次沉積形成隔離層和SOI層；

在有源區周圍的SOI層中形成溝道隔離結構，在有源區中形成淺溝槽隔離結構；

在位于所述淺溝槽隔離結構一側的SOI層上形成柵極結構；

通過光刻膠，定義出位于柵極結構兩側的第一導電類型雜質離子區圖案，向所述第一導電類型雜質離子區圖案中，注入第一導電類型雜質離子，形成第一導電類型雜質離子區；

通過光刻膠，在所述淺溝槽隔離結構遠離所述柵極結構的一側，定義出體接觸區圖案，向所述體接觸區圖案中注入第二導電類型雜質離子，形成體接觸區；

所述淺溝槽隔離結構包括：第一淺溝槽隔離結構，與所述體接觸區接觸；第二淺溝槽隔離結構，與靠近所述體接觸區的所述第一導電類型雜質離子區接觸；所述第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構相間隔。

5.如權利要求4所述的SOI晶體管的制作方法，其特征在于，所述在有源區周圍的SOI層中形成溝道隔離結構，在有源區中形成淺溝槽隔離結構的步驟，包括：

通過光刻膠定義出溝道隔離結構圖案和淺溝槽隔離結構圖案，所述溝道隔離結構圖案包圍在有源區的周圍，所述淺溝槽隔離結構圖案位于有源區中；

根據所述溝道隔離結構圖案和淺溝槽隔離結構圖案，刻蝕所述SOI層，將所述溝道隔離結構圖案和淺溝槽隔離結構圖案轉移到所述SOI層中；

向所述SOI層中填充絕緣材料，研磨后形成溝道隔離結構和淺溝槽隔離結構。

6.如權利要求4所述的SOI晶體管的制作方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構將所述有源區分隔成兩部分，分別為第一部分和第二部分；

所述第一導電類型雜質離子區和所述柵極結構位于所述有源區的第一部分，所述體接觸區位于有源區的第二部分。

7.如權利要求4所述的SOI晶體管的制作方法，其特征在于，所述隔離層的厚度范圍為10-500納米。

8.如權利要求4所述的SOI晶體管的制作方法，其特征在于，所沉積的SOI層的厚度范圍為300-5000納米。