[發明專利]包括放電電路的存儲器件有效
| 申請號： | 202010650970.1 | 申請日： | 2020-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN112509623B | 公開（公告）日： | 2023-10-27 |
| 發明（設計）人： | 李炯東 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人： | 許偉群;郭放 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 放電 電路 存儲 器件 | ||
1.一種存儲器件，包括：
第一疊層，包括第一存儲單元，所述第一存儲單元連接到第一疊層的第一傳導線；
第二疊層，設置在所述第一疊層上方，所述第二疊層包括第二存儲單元，所述第二存儲單元連接到第二疊層的第一傳導線；
第三疊層，設置在所述第二疊層上方，所述第三疊層包括第三存儲單元，所述第三存儲單元連接到第三疊層的第一傳導線；
第四疊層，設置在所述第三疊層上方，所述第四疊層包括第四存儲單元，所述第四存儲單元連接到第四疊層的第一傳導線；
第一選擇電路，包括第一放電電路以及第一選擇晶體管和第二選擇晶體管，所述第一選擇晶體管和所述第二選擇晶體管分別連接到所述第一疊層的第一傳導線和所述第三疊層的第一傳導線，所述第一放電電路共用地連接到所述第一選擇晶體管和所述第二選擇晶體管；以及
第二選擇電路，包括第二放電電路以及第三選擇晶體管和第四選擇晶體管，所述第三選擇晶體管和所述第四選擇晶體管分別連接到所述第二疊層的第一傳導線和所述第四疊層的第一傳導線，所述第二放電電路共用地連接到所述第三選擇晶體管和所述第四選擇晶體管。
2.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第一放電電路包括第一放電晶體管和第二放電晶體管，所述第一放電晶體管和所述第二放電晶體管彼此共享柵極并且彼此共享源極，以及
所述第二放電電路包括第三放電晶體管和第四放電晶體管，所述第三放電晶體管和所述第四放電晶體管彼此共享柵極并且彼此共享源極。
3.如權利要求2所述的存儲器件，其中，所述第一放電晶體管的漏極連接到所述第一選擇晶體管的漏極，
所述第二放電晶體管的漏極連接到所述第二選擇晶體管的漏極，
所述第三放電晶體管的漏極連接到所述第三選擇晶體管的漏極，以及
所述第四放電晶體管的漏極連接到所述第四選擇晶體管的漏極。
4.如權利要求3所述的存儲器件，其中，所述第一疊層的第一傳導線連接到所述第一放電晶體管與所述第一選擇晶體管的連接節點，
所述第三疊層的第一傳導線連接到所述第二放電晶體管與所述第二選擇晶體管的連接節點，
所述第二疊層的第一傳導線連接到所述第三放電晶體管與所述第三選擇晶體管的連接節點，以及
所述第四疊層的第一傳導線連接到所述第四放電晶體管與所述第四選擇晶體管的連接節點。
5.如權利要求1所述的存儲器件，還包括：
下第二傳導線，共用地連接到所述第一存儲單元和所述第二存儲單元，所述下第二傳導線沿與所述第一疊層的第一傳導線至所述第四疊層的第一傳導線相交的方向延伸；以及
上第二傳導線，共用地連接到所述第三存儲單元和所述第四存儲單元，所述上第二傳導線沿與所述第一疊層的第一傳導線至所述第四疊層的第一傳導線相交的方向延伸。
6.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述下第二傳導線和所述上第二傳導線彼此連接。
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