[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010650792.2
• 申請(qǐng)日: 2020-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN113921679A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳日康;楊世偉;宋彩蓁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 隆達(dá)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/60
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

一固晶基板，具有相對(duì)的一第一表面及一第二表面，該第一表面包含一發(fā)光區(qū)和一電極區(qū)；

一發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該發(fā)光區(qū)上，該發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由下至上依序包含一第一型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二型半導(dǎo)體層；

多個(gè)導(dǎo)電柱，間隔設(shè)置于該發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，各該導(dǎo)電柱貫穿該第一型半導(dǎo)體層及該發(fā)光層，但不貫穿該第二型半導(dǎo)體層，其中各該導(dǎo)電柱直接接觸該第二型半導(dǎo)體層并電性連接該固晶基板；

一絕緣層，具有一第一部分及一第二部分，該第一部分位于該第一型半導(dǎo)體層與該固晶基板之間，該第二部分將該第一型半導(dǎo)體層和該發(fā)光層與所述多個(gè)導(dǎo)電柱電性絕緣，其中該第一部分具有一溝槽以及多個(gè)開口，該溝槽鄰近該發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一邊緣且各該開口的一第一寬度小于各該導(dǎo)電柱的一第二寬度；

一第一電極，設(shè)置于該電極區(qū)并電性連接該第一型半導(dǎo)體層，且該第一電極電性絕緣各該導(dǎo)電柱；以及

一第二電極，位于該第二表面上并電性連接所述多個(gè)導(dǎo)電柱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該溝槽的一總長(zhǎng)度大于該發(fā)光區(qū)的一周長(zhǎng)的60％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該溝槽是連續(xù)地環(huán)繞該發(fā)光區(qū)的該邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該發(fā)光區(qū)的該邊緣與最近的該導(dǎo)電柱之間間隔一距離，且該溝槽的一寬度為該距離的10％至30％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中所述多個(gè)開口的一第一數(shù)量大于所述多個(gè)導(dǎo)電柱的一第二數(shù)量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中相鄰兩開口之間的一間距大于該第一寬度的1.5倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包含：

一透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一型半導(dǎo)體層與該第一部分之間，其中該透明導(dǎo)電層包含氧化銦錫；以及

一第一電極延伸部，設(shè)置于該第一部分與該固晶基板之間，其中該第一電極延伸部通過該溝槽和所述多個(gè)開口電性連接該透明導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包含一金屬層位于該第一電極延伸部與該透明導(dǎo)電層之間，且該金屬層填滿該溝槽和所述多個(gè)開口，其中該金屬層包含銀或鋁。

9.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

一生長(zhǎng)基板；

一發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該生長(zhǎng)基板上，該發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由上至下依序包含一第一型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層及一第二型半導(dǎo)體層；

多個(gè)導(dǎo)電柱，間隔設(shè)置于該發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，各該導(dǎo)電柱貫穿該第一型半導(dǎo)體層及該發(fā)光層，但不貫穿該第二型半導(dǎo)體層，且直接接觸該第二型半導(dǎo)體層；

一絕緣層，具有一第一部分及一第二部分，該第一部分位于該第一型半導(dǎo)體層上，該第二部分將該第一型半導(dǎo)體層和該發(fā)光層與所述多個(gè)導(dǎo)電柱電性絕緣，其中該第一部分具有一溝槽以及多個(gè)開口，該溝槽鄰近該生長(zhǎng)基板的一邊緣且各該開口的一第一寬度小于各該導(dǎo)電柱的一第二寬度；以及

一第一電極和一第二電極，設(shè)置于該第一型半導(dǎo)體層上方，其中該第一電極電性連接該第一型半導(dǎo)體層并與所述多個(gè)導(dǎo)電柱電性絕緣，且該第二電極電性連接所述多個(gè)導(dǎo)電柱。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該溝槽的一總長(zhǎng)度大于該生長(zhǎng)基板的一周長(zhǎng)的60％。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該溝槽是連續(xù)地環(huán)繞該生長(zhǎng)基板的該邊緣。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該生長(zhǎng)基板的該邊緣與最近的該導(dǎo)電柱之間間隔一距離，且該溝槽的一寬度為該距離的10％至30％。