[發明專利]一種具有凹紋的不粘鍋的加工方法在審
| 申請號: | 202010640704.0 | 申請日: | 2020-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN111760771A | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發明(設計)人: | 陳合林 | 申請(專利權)人: | 愛仕達股份有限公司 |
| 主分類號: | B05D7/14 | 分類號: | B05D7/14;B05D3/10;B05D3/02;B05D5/06;B05D5/08;A47J27/00;A47J36/02;C23F1/02;C23F1/16;C23F3/00;B21D51/22 |
| 代理公司: | 杭州華知專利事務所(普通合伙) 33235 | 代理人: | 束曉前 |
| 地址: | 317500 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 不粘鍋 加工 方法 | ||
1.一種具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,包括以下步驟:
A1,將酒精稀釋的感光膠涂覆在金屬板材表面,烘干后曝光、顯影,形成預設圖案,烘烤堅膜:
A2,將蝕刻藥劑通過噴淋對裸露金屬板材表面進行化學蝕刻,在金屬板材表面形成具有凹紋的結構;
A3,將配制好的涂料依次噴涂至A2處理得到的金屬板材表面整體;
A4,涂好涂料的金屬板材通過以下多個溫區進行燒結退膜處理:一區起始揮發段T1,涂料中的水分及揮發性物質揮發;二區高溫燒結段T2,涂料層實現凝固,感光膠層燒結焦化;三區交聯穩定段T3,涂料中有機物形成交聯;四區低溫冷卻段T4,熱脹冷縮使焦化的感光膠層剝離;
A5,對A4得到的金屬板材進行化學拋光,去除燒結形成的黃印和/或氧化層;
A6,將A5得到的金屬板材壓制成器具所需的形狀,得到凹紋中具有不粘涂層的不粘鍋。
2.一種具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,包括以下步驟:
B1,將酒精稀釋的感光膠涂覆在金屬板材表面,烘干后曝光、顯影,形成預設圖案,烘烤堅膜:
B2,將蝕刻藥劑通過噴淋對裸露金屬板材表面進行化學蝕刻,在金屬板材表面形成具有凹紋的結構;
B3,將配制好的涂料依次噴涂至S2處理得到的金屬板材表面整體;
B4,涂好涂料的金屬板材通過以下多溫區進行燒結處理:一區起始揮發段T1,涂料中的水分及揮發性物質揮發;二區高溫燒結段T2,涂料層實現凝固,感光膠層燒結焦化;三區交聯穩定段T3,涂料中有機物形成交聯;出爐口自然冷卻,保持涂料膜層完整;
B5,將S4得到的金屬板材通過模具擠壓形成器皿形狀,并使光滑金屬板表面保留的感光膠層失去附著力,脫模后去除覆在金屬板曝光圖形區域保留感光膠層上方涂料;
B6,對S5得到的金屬板材進行化學拋光,去除燒結形成的黃印和/或氧化層,得到凹紋中具有不粘涂層的不粘鍋。
3.根據權利要求1或2所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,所述凹紋對應的凸紋圖案為規則排布的、可向外無限排布的的幾何圖案,所述幾何圖案包括線和/或點,所述幾何圖案的基本圖形為等腰三角形、或者由120°夾角排布的兩段等長線段構成的折線圍繞原點按120°旋轉形成的圖形、或者由120°夾角排布的三段等長線段構成的“Y”形線圍繞原點60°旋轉的圖形、或者由120°夾角排布的三段等長線段構成的“Y”形線以及圍繞“Y”形線外周的圓弧圍繞原點60°旋轉的圖形。
4.根據權利要求3所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,酒精和感光膠的稀釋體積比例為(0.8~1.15):1,感光膠烘干溫度80~90℃,感光膠烘干時間15~30分鐘,曝光時間60~120秒,顯影采用由工業純堿溶液形成的顯影試劑,顯影溫度30~45℃,烘烤堅膜溫度135~180℃、時間15~25分鐘。
5.根據權利要求3所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,通過負片曝光顯影法設置預設圖形。
6.根據權利要求3所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,化學蝕刻至粗糙度Ra 0.8~6.3,蝕刻深度不大于0.8mm。
7.根據權利要求3所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,所述S2中,所述蝕刻藥劑為質量比1:10:(0.03~0.08)的三氯化鐵:水:鹽酸,溶液濃度38~40°Bé,溶液溫度30~45℃,噴淋壓力1.2~2.8kg/cm2。
8.根據權利要求3所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,所述S5中,化學拋光溶液為氫氧化鈉與硝酸鈉的混合溶液,總堿度18~35%,溫度90~110℃。
9.根據權利要求1所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,所述A4中,一區起始揮發段T1為150~300℃;二區高溫燒結段T2為420~480℃;三區交聯穩定段T3為350~420℃;四區低溫冷卻段T4為室溫風冷至60℃以下。
10.根據權利要求2所述的具有凹紋的不粘鍋的的加工方法,其特征在于,所述B4中,一區起始揮發段T1為150~200℃;二區高溫燒結段T2為430~450℃;三區交聯穩定段T3為380~390℃。
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