[發明專利]OLED顯示裝置及制備方法有效
| 申請號: | 202010638515.X | 申請日: | 2020-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN111668284B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 王雷 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示裝置 制備 方法 | ||
本申請公開了一種OLED顯示裝置及制備方法,所述OLED顯示裝置包括:柔性襯底、指紋識別傳感器、TFT陣列層、OLED發光功能層、彩膜層以及薄膜封裝層;其中,所述薄膜封裝層的最外層開設有第一過孔,所述第一過孔位于所述指紋識別傳感器的上方;所述第一過孔內還填充有準直鏡結構,所述準直鏡結構用于使手指指紋反射的反射光能朝向不同方向匯聚,且沿豎直方向反射的所述反射光能匯聚在所述指紋識別傳感器上。本申請實施例能夠在降低OLED顯示裝置整體厚度的同時,有效提升了OLED顯示裝置中指紋識別傳感器的識別效率和識別精度。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示裝置及制備方法。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)器件又稱為有機電激光顯示裝置,具有電壓需求低、省電效率高、反應快、重量輕、厚度薄,構造簡單,成本低、廣視角、幾乎無窮高的對比度、較低耗電、極高反應速度等優點,已經成為當今最重要的顯示技術之一,正在逐步替代薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thinfilm transistor-liquid crystaldisplay,簡稱TFT-LCD),有望成為繼LCD之后的下一代主流顯示技術。
偏光片(POL)能夠有效地降低強光下面板的反射率,卻損失了接近58%的出光。這對于OLED來說,極大地增加了其壽命負擔;另一方面,偏光片厚度較大、材質脆,不利于動態彎折產品的開發。為了開發基于OLED顯示技術的動態彎折產品,必須導入新材料、新技術以及新工藝替代偏光片。
使用彩膜(Color Filter)替代偏光片(POL)被歸屬為POL-less(去偏光片)技術,它不僅能將功能層的厚度從100μm降低至小于5μm,而且能夠將出光率從42%提高至60%。基于彩膜的POL-less技術被認為是實現動態彎折產品開發的關鍵技術之一。對于旋涂或噴墨打印后的彩膜,由于其自身的性質,仍然對OLED自發光和環境光存在較高的反射作用。
傳統的POL-less工藝技術已經在DOT(Direct on-cell touch,內置觸控)技術上進行了結合,但是在光學指紋識別上由于黑色矩陣的遮光作用使得傳統的POL-less結構無法與光學指紋識別技術融合,降低了POL-less技術的應用擴展范圍。因此需要尋求一種新型的OLED顯示裝置及制備方法以解決上述問題。
發明內容
本申請實施例提供一種OLED顯示裝置及制備方法,能夠有效提高POL-less結構的OLED顯示裝置中指紋識別傳感器的識別效率和識別精度,以解決現有技術的OLED顯示裝置及制備方法,由于POL-less結構與光學指紋識別技術融合中,彩膜層中的黑色矩陣容易遮檔手指反射的反射光,導致指紋傳感器的識別效率低的技術問題。
本申請實施例提供一種OLED顯示裝置,所述OLED顯示裝置包括:柔性襯底、設置在所述柔性襯底的背離指紋接觸的一側的指紋識別傳感器、設置于所述柔性襯底上的TFT陣列層、設置于所述TFT陣列層上的OLED發光功能層、設置于所述OLED發光功能層上的彩膜層以及設置于所述彩膜層上的薄膜封裝層;
其中,所述指紋識別傳感器用于接收手指指紋反射的反射光,并根據所述反射光識別指紋;所述薄膜封裝層包括由下至上層疊設置的第一無機封裝層、有機封裝層以及第二無機封裝層,所述第二無機封裝層表面開設有第一過孔,所述第一過孔貫穿所述第二無機封裝層并暴露出所述有機封裝層,且位于所述指紋識別傳感器的上方;所述第一過孔內還填充有準直鏡結構,所述準直鏡結構用于使手指指紋反射的所述反射光能朝向不同方向匯聚,且沿豎直方向反射的所述反射光能匯聚在所述指紋識別傳感器上。
在一些實施例中,所述準直鏡結構為準直透鏡,所述準直透鏡具有主光軸,所述主光軸沿豎直方向延伸。
在一些實施例中,所述準直透鏡為凸透鏡、菲涅爾透鏡以及微透鏡陣列中的任意一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





