[發明專利]一種哈密瓜育苗方法

在審

• 申請號: 202010636714.7
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111642339A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 謝宏鷗
• 申請（專利權）人: 三亞雙盛實業有限公司
• 主分類號: A01G22/05
• 分類號: A01G22/05;A01C1/00;A01G24/10;A01G24/20;A01G24/22;A01G24/30;A01G24/25;A01G24/27;A01N47/44;A01N47/18;A01N43/12;A01N45/00;A01N37/44;A01N59/26
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1.一種哈密瓜育苗方法，其特征在于：步驟如下：

高溫干熱處理：選擇顆粒飽滿的種子在干熱處理機中進行干熱處理，干熱處理溫度為60℃～70℃，干熱處理時間為10min～15min；

表皮粘液清除：將干熱處理后的種子在24℃～27℃浸泡5～7個小時后沖洗掉表皮的粘液物質；

浸種液浸泡處理：將表皮粘液物質去除后的哈密瓜種子用布料拭去表面水分后浸泡在殺蟲劑中0.5小時～1小時；

溫熱催種處理：將殺蟲劑浸泡處理后的種子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的溫度維持在24℃～27℃溫熱催種5～7個小時，不透光的容器要求不受光照作用；

基質育苗：將溫熱催種處理后的種子播撒在基質培養土中，并在播撒的種子上覆蓋上培養土2cm～4cm,并在基質培養土表層覆蓋黑色薄膜，保持基質培養土的含水量處于50％～65％，并在種子播撒到基質培養土中6小時后給以光照，分別為早晨9點～11點、下午15點～17點的光照；待50％～55％種子發芽后，去除基質培養土表層的黑色薄膜，每天澆水；基質育苗環境的溫度始終控制在24℃～27℃；

分苗種植：待幼苗生長至4～6片真葉后即可移栽；種植幼苗用的基質需翻動土壤后進行下一批幼苗培育，同一基質連續培養2～3批哈密瓜幼苗后需要進行翻新。

2.如權利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述浸種液包括72％農用硫酸鏈霉素800～950倍液10～15份、多菌靈10～15份、丙氨酸7～8份、赤霉素3～5份、氨基酸螯合鈣6～7份、清水80～85份、磷酸二氫鉀0～2份、茶皂素0～1份。

3.如權利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基質包括哈密瓜種植基地中的土壤20～30份、蚓糞15～25份、水葫蘆5～7份、大黃酸0.05～0.1份、棉花殼5～10份、甘蔗渣10～20份、甲硫氨酸1～3份、菌菇類菇渣10～20份、多菌靈3～5份、槲皮素0～2份。

4.如權利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基質的制作步驟如下：

1)將土壤攤開并在烈日下暴曬48小時；蚓糞、棉花殼、甘蔗渣、菌菇類菇渣、水葫蘆堆放在一起發酵36小時且使堆放中心的溫度達到40℃～50℃之間；

2)將多菌靈按比例攪拌到土壤、蚓糞、棉花殼、甘蔗渣、菌菇類菇渣、水葫蘆堆放物中進行基質殺菌2～5小時；

3)將所有基質成分混合并在撒種之前10～12小時內澆透水。

5.如權利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基質的翻新步驟如下：

1)將基質整體翻動后通風24小時；

2)再次撒入上次多菌靈用量的一半進行攪拌殺菌1.5～2.5小時；

3)加入甲硫氨酸1～1.5份、大黃酸0.02～0.05份、槲皮素0～1份，攪拌均勻；

4)在翻新后的基質中注入上次注水量的0.3～0.6倍。

6.如權利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：同批次的待幼苗有85％～95％的種苗生長至4～6片真葉后，棄用種苗真葉數量不大于2的種苗，被棄用的種苗可直接廢棄或集中收集用于后期補苗使用。

7.如權利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：表皮粘液清除步驟中用石灰水沖洗種子。

8.如權利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：表皮粘液清除步驟與浸種液浸泡處理步驟之間增加種子磁化處理步驟：將種子浸入氯化鐵營養液中30min～40min后撈出，對種子進行磁化處理，且在磁場190G～210G的強度下磁化80S～100S。

9.如權利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：基質育苗步驟中，幼苗生長至4～6片后，先在根部施加氯化鋅營養液，12小時后進行分苗種植。

10.如權利要求9所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：將3～3.2重量的氯化鋅、0.2～0.3重量的辛夷花多糖加入210～230重量的水中攪拌至溶解并在700G～800G的條件下磁化處理25min～30min。