[發明專利]一種電場增強的三維螺旋結構基底在審
| 申請號： | 202010635642.4 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN113880042A | 公開（公告）日： | 2022-01-04 |
| 發明（設計）人： | 汪萬林 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | B81B7/04 | 分類號： | B81B7/04 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 李瑩 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電場 增強 三維 螺旋 結構 基底 | ||
1.一種電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構基底包括多個三維螺旋結構單元，所述三維螺旋結構單元服從以下關系：
f(x,y,z)＝sinxcosy+sinycosz+sinzcosx＝t(-1.5≤t≤1.5)；
其中x＝2πX/a，y＝2πY/a，z＝2πZ/a；X、Y、Z∈(0，a)；a為所述三維螺旋結構單元的周期；a＝200-500納米；t調節所述三維螺旋結構單元的形貌；
所述三維螺旋結構基底的材質為貴金屬。
2.如權利要求1所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構基底的材質為金。
3.如權利要求1所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構基底的厚度為35-500微米。
4.如權利要求1所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構單元的占空比為50-80％。
5.如權利要求1所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構單元的周期a＝300-400納米。
6.如權利要求5所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述三維螺旋結構單元的周期a＝350納米。
7.如權利要求1所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，由雙光子三維光刻機制得。
8.如權利要求7所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，采用的激光光源為fs脈沖激光束。
9.如權利要求8所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述激光光源的頻率為1-3KHz，脈沖寬度為80-150fs，波長為600-1000nm。
10.如權利要求9所述的電場增強的三維螺旋結構基底，其特征在于，所述激光光源的頻率為1KHz，脈沖寬度為110fs，波長為800nm。
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