[發(fā)明專利]一種晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

在審

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• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN113889445A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳峰;姚大平
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇中科智芯集成科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 吳黎

1.一種晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基板；

一芯片；

所述芯片倒置貼裝于所述基板表面，所述芯片的功能面與所述基板之間有一封閉的空腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含多個隔離柱，所述隔離柱連接所述基板和所述芯片的功能面，封閉所述基板和所述芯片的功能面之間的空隙，形成所述空腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含：

一承載板，所述承載板的一面形成有隔離層；形成有隔離層的所述承載板構(gòu)成所述基板；

第一金屬柱，設(shè)置于所述基板表面靠近所述基板中心的位置，電性連接所述基板；

一第一導(dǎo)電層，形成于所述隔離層的表面，電性連接所述第一金屬柱；

所述承載板和所述第一導(dǎo)電層構(gòu)成所述基板；所述第一金屬柱電性連接所述第一導(dǎo)電層；

第二金屬柱，設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層表面靠近所述承載板邊緣的位置，電性連接所述第一導(dǎo)電層；

一第一絕緣層，所述第一絕緣層包覆所述芯片的外側(cè)、所述第二金屬柱和所述隔離柱的外側(cè)，且所述芯片的背面和所述第二金屬柱的頂面露出所述第一絕緣層；

一第二絕緣層，形成于所述第一絕緣層表面，所述第二絕緣層在所述第二金屬柱的頂面位置和所述芯片的背面的局部位置形成有開口；

一第二導(dǎo)電層，形成于所述第二絕緣層表面，所述第二導(dǎo)電層在所述第二絕緣層表面的開口處與所述芯片的背面、所述第二金屬柱的頂面電性接觸；

一第三絕緣層，所述第三絕緣層形成于所述第二絕緣層表面，包覆所述第二導(dǎo)電層，并令所述第二導(dǎo)電層局部露出所述第三絕緣層表面；

焊球下金屬層，形成于露出所述第三絕緣層表面的第二導(dǎo)電層層上；

焊球，形成于所述焊球下金屬層表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載板對應(yīng)所述芯片的正面的位置形成開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層在所述承載板開口位置處形成有開口或圖形或孔洞，使所述芯片的局部向外暴露。

6.一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上倒置貼裝一芯片，所述芯片的功能面與所述基板之間形成一封閉的空腔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：在所述基板上形成多個隔離柱，所述多個隔離柱用于連接所述基板和所述芯片的功能面，并封閉所述基板和所述芯片的功能面之間的空隙形成所述空腔。