[發明專利]電阻式存儲器件及其操作方法

在審

• 申請號: 202010630541.8
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN113096705A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 嚴浩錫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

1.一種電阻式存儲器件的操作方法，包括：

接收寫入數據和地址；

判斷所述寫入數據處于第一狀態還是第二狀態；

當所述寫入數據處于所述第一狀態時，向多個存儲單元之中的與所述地址相對應的目標存儲單元施加第一脈沖；以及

當所述寫入數據處于所述第二狀態時，根據所述寫入數據與預讀取數據的比較結果，選擇性地向所述目標存儲單元施加第二脈沖，所述預讀取數據是從所述目標存儲單元讀取的預儲存數據。

2.根據權利要求1所述的操作方法，

其中，所述存儲單元包括相變材料，以及

其中，每個所述存儲單元包括所述第一狀態和所述第二狀態，在所述第一狀態中所述相變材料具有結晶態，并且在所述第二狀態中所述相變材料具有非晶態。

3.根據權利要求1所述的操作方法，還包括：在向所述目標存儲單元施加所述第一脈沖之前，執行根據所述地址而向選中的字線和選中的位線施加偏壓的預選擇操作，以預選擇所述目標存儲單元。

4.根據權利要求3所述的操作方法，其中，所述預選擇操作包括：

向所述選中的字線和所述選中的位線施加偏壓，同時向其余的未選中的位線和未選中的字線施加接地電壓；以及

增大施加到所述選中的位線的偏壓，同時向所述其余的未選中的字線施加高于所述接地電壓的偏壓。

5.根據權利要求1所述的操作方法，其中，選擇性地向所述目標存儲單元施加所述第二脈沖包括：

當所述預讀取數據和所述寫入數據相同時，跳過施加所述第二脈沖的步驟。

6.根據權利要求1所述的操作方法，其中，選擇性地向所述目標存儲單元施加所述第二脈沖包括：

當所述預讀取數據和所述寫入數據彼此相同時，執行根據所述地址而向選中的字線和選中的位線施加偏壓的預選擇操作，以預選擇所述目標存儲單元；以及

當所述預讀取數據和所述寫入數據彼此不同時，向所述目標存儲單元施加所述第二脈沖。

7.根據權利要求6所述的操作方法，其中，所述預選擇操作包括：

向所述選中的字線和所述選中的位線施加偏壓，同時向其余的未選中的位線和未選中的字線施加接地電壓；以及

增大施加到所述選中的位線的偏壓，同時向所述其余的未選中的字線施加高于所述接地電壓的偏壓。

8.一種電阻式存儲器件，包括：

存儲單元陣列，其包括多個存儲單元；和

外圍電路，其適用于：

判斷寫入數據處于第一狀態還是第二狀態，

當所述寫入數據處于所述第一狀態時，向所述存儲單元之中的與地址相對應的目標存儲單元施加第一脈沖，以及

當所述寫入數據處于所述第二狀態時，根據所述寫入數據與預讀取數據的比較結果，選擇性地向所述目標存儲單元施加第二脈沖，所述預讀取數據是從所述目標存儲單元讀取的預儲存數據。

9.根據權利要求8所述的電阻式存儲器件，

其中，所述存儲單元包括相變材料，和

其中，每個所述存儲單元包括所述第一狀態和所述第二狀態，在所述第一狀態中所述相變材料具有結晶態，并且在所述第二狀態中所述相變材料具有非晶態。

10.根據權利要求8所述的電阻式存儲器件，其中，所述外圍電路包括：

寫入驅動器，其適用于根據脈沖控制信號和所述寫入數據而向所述目標存儲單元施加所述第一脈沖或所述第二脈沖；

感測放大電路，其適用于根據感測控制信號而讀出在所述目標存儲單元中預儲存的數據，并提供所述目標存儲單元中預儲存的數據作為所述預讀取數據；

寫入控制電路，其適用于判斷所述寫入數據處于所述第一狀態還是所述第二狀態以輸出判斷信號，并適用于根據所述判斷信號將所述預讀取數據與所述寫入數據進行比較以輸出比較信號；和

控制邏輯，其適用于根據所述判斷信號和所述比較信號來產生所述脈沖控制信號和所述感測控制信號。