[發(fā)明專利]一種浮動電壓源電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010630293.7
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112104208B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設計）人: 劉大偉;范建林;陳志濤
• 申請（專利權）人: 廣東省科學院半導體研究所
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M3/158
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;麥小嬋

1.一種浮動電壓源電路，其特征在于，所述電路包括第一P型高壓MOS管、第二P型高壓MOS管、N級電流鏡單元、第三P型高壓MOS管和運算放大器，所述N級電流鏡單元中的每一級電流鏡單元包括一個P型MOS管和一個鏡像P型MOS管，N為大于1的正整數(shù)；

所述第一P型高壓MOS管的背柵極和源極均與浮動電壓源電路的供電電源連接，所述第一P型高壓MOS管的漏極與所述第二P型高壓MOS管的漏極連接，所述第一P型高壓MOS管的柵極與所述運算放大器的輸出端連接；

所述第二P型高壓MOS管的背柵極和源極均與浮動電壓源的正極連接，所述第二P型高壓MOS管的柵極與控制信號連接；

在第一級電流鏡單元中，P型MOS管的源極和鏡像P型MOS管的源極均與所述浮動電壓源的正極連接，P型MOS管的漏極與下一級電流鏡單元中的P型MOS管的源極連接，鏡像P型MOS管的漏極與下一級電流鏡單元中的鏡像P型MOS管的源極連接；

在第N級電流鏡單元中，P型MOS管的漏極與浮動電壓源的浮動地連接，鏡像P型MOS管的漏極與所述第三P型高壓MOS管的源極連接；

所述第三P型高壓MOS管的漏極、所述運算放大器的正極與所述浮動電壓源的地連接；

所述浮動電壓源的正極與所述浮動電壓源的浮動地通過第一電容連接；

所述浮動電壓源的計算如下式所示：

V_Float＝V_BST-V_SW＝N*V_REF；其中，V_REF為參考電壓；

所述電路包括附加P型MOS管；

所述第三P型高壓MOS管的漏極和所述運算放大器的正極與所述附加P型MOS管的源極連接，且所述第三P型高壓MOS管的漏極和所述運算放大器的正極通過第二電容與所述浮動電壓源的地連接；

所述附加P型MOS管的柵極和漏極通過第一電阻與所述浮動電壓源的地連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的浮動電壓源電路，其特征在于，在第N級電流鏡單元中，P型MOS管的漏極與浮動電壓源的浮動地通過第二電阻連接。

3.根據(jù)權利要求2所述的浮動電壓源電路，其特征在于，

R₂＝N×R₁，

其中，R₁表示第一電阻的電阻值，R₂表示第二電阻的電阻值。

4.根據(jù)權利要求1所述的浮動電壓源電路，其特征在于，所述N級電流鏡單元中的所有P型MOS管和鏡像P型MOS管與所述附加P型MOS管的尺寸均相同。

5.根據(jù)權利要求1-4任一所述的浮動電壓源電路，其特征在于，在每一級電流鏡單元中，P型MOS管的柵極和漏極與鏡像P型MOS管的柵極連接。

6.根據(jù)權利要求1-4任一所述的浮動電壓源電路，其特征在于，所述第一P型高壓MOS管的背柵極和漏極之間連接有第一寄生二極管，所述第二P型高壓MOS管的背柵極和漏極之間連接有第二寄生二極管。