[發明專利]一種微米級定點定位納米材料轉移方法

在審

• 申請號: 202010628543.3
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111717887A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 劉金養;楊順航;朱星星;蔡宇珊;王夢龍;黃志高;賴發春
• 申請（專利權）人: 福建師范大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：其包括以下步驟;

步驟1，待轉移材料轉移至聚合物載體：通過勻膠機在生長待轉移材料的襯底表面勻上聚合物膠，用表面加熱器烘干；通過技術手段去掉襯底，把含有待轉移材料的聚合物薄膜載體分離開來并轉移至多孔網表面；

步驟2，精確定位目標位置：將目標襯底置于含小型加熱平臺的三維光學移動平臺上，并把該平臺作為光學顯微鏡載物臺，通過顯微鏡結合三維光學移動平臺尋找到目標位置；

步驟3，待轉移材料定點定位轉移：把含有待轉移材料的多孔網固定在支架上并置于目標襯底上方，通過三維光學移動平臺移動待轉移材料，結合光學顯微鏡把待轉移材料置于目標襯底正上方；通過三維光學移動平臺向上移動使得待轉移材料和目標襯底緊密接觸，并用通過小型加熱平臺加熱，重新形成聚合物的玻璃化狀態后把含有待轉移材料的聚合物轉移至目標襯底的目標位置上；

步驟4，獲得定點定位轉移的樣品：含有待轉移材料的目標襯底放置于顯影劑中，去除聚合物，即可得到點定位轉移的樣品。

2.根據權利要求1所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：步驟1中生長待轉移材料的襯底的形成方法如下：用聚二甲基硅氧烷作為印章，把生長在硅片上的納米帶轉移到含有標記的二氧化硅片上，在顯微鏡在找到合適的納米帶作為構建異質結構的目標。

3.根據權利要求1所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：步驟1中選用聚甲基丙烯酸甲酯作為聚合物載體。

4.根據權利要求1所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：步驟1中應用刻蝕法或超聲剝離法去掉襯底。

5.根據權利要求1所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：小型加熱平臺在180℃下加熱10分鐘。

6.根據權利要求1或4所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：步驟2中的三維光學移動平臺包含轉動平臺，通過轉動平臺，目標位置可任意轉動，與待轉移材料形成合適的角度。

7.根據權利要求1所述的一種微米級定點定位納米材料轉移方法，其特征在于：步驟4中依據聚合物的不同選用不同的顯影劑顯影去除聚合物載體。