[發明專利]一種基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置及方法在審
| 申請號: | 202010628338.7 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN111668140A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 韓禹;孫元斌;苗陣 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黃海霞 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 陶瓷 加熱器 溫度 一致性 調整 裝置 方法 | ||
1.一種基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,包括:
上蓋組件;
下盤體組件,設置在所述上蓋組件下方,所述下盤體組件與所述上蓋組件組合形成加熱腔體;
加熱組件,安裝在所述下盤體組件內部;
溫度調節組件,安裝在所述下盤體組件內部,對所述加熱組件進行溫度補償與調節;以及
通風組件,安裝在所述上蓋組件上,在所述加熱腔體內部排入、排出氣體以維持所述加熱腔體內的氣流穩定。
2.根據權利要求1所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述上蓋組件包括依次設置的外層蓋、中層蓋和內層蓋,所述中層蓋上連接有多個中層蓋支撐柱,所述中層蓋支撐柱與所述外層蓋連接,所述中層蓋連接有多個內層蓋支撐柱,所述內層蓋支撐柱與所述內層蓋連接。
3.根據權利要求2所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述外層蓋下表面與所述中層蓋上表面之間設置有均勻排氣腔,所述中層蓋下表面與所述內層蓋上表面之間設置有均勻進氣腔。
4.根據權利要求3所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述通風組件包括安裝在所述外層蓋上表面的通氣塊,所述通氣塊的進氣端連接有進氣管,所述通氣塊的排氣端連接有排氣管,所述進氣管與所述均勻進氣腔相互導通,所述排氣管與所述均勻排氣腔相互導通。
5.根據權利要求3所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述內層蓋表面還設置有多個出氣孔,所述均勻進氣腔內部的氣體通過出氣孔排入到所述加熱腔體內部。
6.根據權利要求4所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述均勻排氣腔與所述通氣塊的排氣端之間通過中層排氣通道連接,所述中層排氣通道安裝在所述中層蓋上,所述均勻進氣腔與所述通氣塊的進氣端之間通過內層進氣通道連接,所述內層進氣通道安裝在所述內層蓋上。
7.根據權利要求1所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述加熱組件為陶瓷加熱器。
8.根據權利要求1所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述溫度調節組件包括至少一個背部溫度補償器,所述背部溫度補償器設置在所述加熱組件背部,所述背部溫度補償器與所述加熱組件之間形成溫度控制區。
9.根據權利要求8所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述溫度調節組件還包括邊緣溫度補償器,所述邊緣溫度補償器設置在所述加熱組件的外邊緣,并對所述加熱組件進行溫度補償。
10.根據權利要求8或9所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述背部溫度補償器為背部降溫塊。
11.根據權利要求8或9所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述背部溫度補償器內部還設置有用于通入冷卻氣體的補償通道。
12.根據權利要求8所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述下盤體組件包括固定座,所述固定座內部設置有封板,所述加熱組件安裝在所述固定座上,且所述背部溫度補償器設置在所述封板上。
13.根據權利要求11所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述固定座與外層蓋之間設置有氣流交換通道,所述氣流交換通道與均勻排氣腔相互導通,所述補償通道通入的冷卻氣體通過所述氣流交換通道排入所述均勻排氣腔。
14.根據權利要求12所述的基于陶瓷加熱器溫度一致性的調整裝置,其特征在于,所述固定座上表面還設置有多個安裝螺紋孔,所述安裝螺紋孔內部螺紋連接有晶圓定位導柱,所述晶圓定位導柱中心處還設置有通孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





