[發(fā)明專利]圖像顯示元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010627945.1
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112185268B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井口勝次;河西秀典;高橋幸司;前川真澄
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普福山激光株式會社
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H10K59/10;H10K50/856
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 郝家歡

1.一種圖像顯示元件，包括陣列排列的多個微發(fā)光元件，其特征在于，包括：

包含向多個所述微發(fā)光元件供給電流并使所述微發(fā)光元件發(fā)光的驅(qū)動電路的驅(qū)動電路基板、

所述多個微發(fā)光元件、

與所述多個微發(fā)光元件的光射出面接觸的多個微透鏡、

配置為在與所述光射出面平行的方向上且在多個所述微透鏡的周圍的多個分隔壁，

所述分隔壁的面向所述微透鏡的側(cè)面為反射面，所述反射面以相對于光發(fā)射方向打開的方式傾斜，

且所述反射面不和所述微透鏡的表面接觸，并且將從所述微透鏡出射的光向沿著所述微發(fā)光元件的正面方向的方向反射，

所述分隔壁的至少一部分與所述微透鏡的形成曲面的表面在所述光發(fā)射方向處于相同的高度。

2.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述多個微發(fā)光元件為包括化合物半導體晶體的多個微LED。

3.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示元件，其特征在于，多個所述微透鏡的底面覆蓋多個所述微發(fā)光元件的所述光射出面的整體。

4.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述反射面的傾斜角度在85度以下。

5.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述微透鏡的表面為球面，所述球面的中心相對于所述光射出面的中心位于±1μm以內(nèi)。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述分隔壁形成為與所述驅(qū)動電路基板的表面接觸。

7.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，從所述微發(fā)光元件的所述光射出面?zhèn)扔^察的所述分隔壁的形狀為矩形。

8.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述分隔壁包括由透明材料構(gòu)成的分隔壁母材和覆蓋所述分隔壁母材并由高反射性金屬膜構(gòu)成的分隔壁反射材料。

9.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，在所述多個微發(fā)光元件的每一個中，所述多個微發(fā)光元件的與所述光射出面相反側(cè)的面上分別具有第一電極，在所述多個微發(fā)光元件中，所述多個微發(fā)光元件的所述光射出面?zhèn)确謩e具有第二電極。

10.如權(quán)利要求9中所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述分隔壁包含與所述第二電極導通的布線的一部分。

11.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述多個微發(fā)光元件分別具有包含化合物半導體晶體的微LED和延長所述微LED發(fā)射的激發(fā)光的波長的波長轉(zhuǎn)換部，所述微發(fā)光元件的所述光射出面為所述波長轉(zhuǎn)換部的上表面。

12.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的圖像顯示元件，其特征在于，所述多個微發(fā)光元件分別具有包含化合物半導體晶體的微LED和配置在所述微LED上的透明部，所述微發(fā)光元件的所述光射出面為所述透明部的上表面。

13.如權(quán)利要求11所述的圖像顯示元件，其特征在于，構(gòu)成所述波長轉(zhuǎn)換部的與所述光射出面平行的方向的側(cè)壁的面為以沿光發(fā)射方向打開的方式傾斜的面。

14.如權(quán)利要求12所述的圖像顯示元件，其特征在于，構(gòu)成所述透明部的與所述光射出面平行的方向的側(cè)壁的面為以沿光發(fā)射方向打開的方式傾斜的面。

15.如權(quán)利要求13所述的圖像顯示元件，其特征在于，由高反射性金屬膜覆蓋所述波長轉(zhuǎn)換部的與所述光射出面平行的方向的側(cè)壁。

16.如權(quán)利要求14所述的圖像顯示元件，其特征在于，由高反射性金屬膜覆蓋所述透明部的與所述光射出面平行的方向的側(cè)壁。