[發(fā)明專利]用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置及外延反應(yīng)腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010627096.X
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111850515B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁福順;李曉軍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;C30B25/14;C30B25/08
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

1.一種用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，包括：下部襯環(huán)以及置于所述下部襯環(huán)上方且與所述下部襯環(huán)同軸設(shè)置的上部襯環(huán)；

所述下部襯環(huán)的朝向所述上部襯環(huán)的一面設(shè)置有的導氣槽和排氣槽，所述導氣槽和所述排氣槽沿所述下部襯環(huán)的周向相對設(shè)置，且所述導氣槽的導氣方向與所述下部襯環(huán)的軸向成角度；

所述上部襯環(huán)包括環(huán)本體和設(shè)置于所述環(huán)本體上的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部自所述環(huán)本體的外邊緣朝向所述導氣槽延伸，以與所述下部襯環(huán)配合形成進氣部，所述第二延伸部自所述環(huán)本體的外邊緣朝向所述排氣槽延伸，以與所述下部襯環(huán)配合形成排氣部；

所述上部襯環(huán)還包括垂直于所述環(huán)本體設(shè)置的第一導流部和第二導流部，所述第一導流部和所述第二導流部均設(shè)置在所述進氣部與所述排氣部之間，且所述第一導流部的朝向所述襯里裝置中心的表面與所述第二導流部的朝向所述襯里裝置中心的表面均與所述環(huán)本體的直徑方向平行。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，所述導氣槽為多個，且相鄰所述導氣槽之間設(shè)置有隔板，所述隔板的頂端設(shè)有用于支撐所述第一延伸部的切槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，所述隔板的厚度范圍為2mm至5mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，所述導氣槽的導氣方向與所述下部襯環(huán)的的軸向所形成的角度為30度至60度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，多個所述導氣槽的寬度不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置，其特征在于，所述導氣槽的底部設(shè)有過渡弧面。

7.一種外延反應(yīng)腔室，其特征在于，包括從內(nèi)到外依次設(shè)置的石墨托盤、預熱環(huán)以及如權(quán)利要求1至6任意一項所述的用于外延反應(yīng)腔室的襯里裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的外延反應(yīng)腔室，其特征在于，所述石墨托盤上設(shè)置有用于承載待加工工件的承載位，所述進氣部的寬度大于所述承載位的直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的外延反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括金屬基座環(huán)，所述金屬基座環(huán)設(shè)于所述下部襯環(huán)下方，所述下部襯環(huán)的底部邊緣沿周向設(shè)有等間隔分布的多個支撐凸臺，所述多個支撐凸臺使所述金屬基座環(huán)頂面與所述下部襯里底面之間形成用于通入吹掃氣體的空隙，所述下部襯環(huán)的側(cè)壁外表面沿周向設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽用于形成所述吹掃氣體流通的吹掃通道。