[發明專利]用于高速數據傳輸的半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202010625725.5
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN112447526A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 陳煥能;廖文翔
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種制造半導體結構的方法，其包括：

提供襯底；

在所述襯底上方沉積第一電介質層；

將波導附接到所述第一電介質層；

沉積第二電介質層以橫向包圍所述波導；及

在所述第二電介質層及所述波導上方形成第一導電部件及第二導電部件，所述第一導電部件及所述第二導電部件與所述波導接觸，

其中所述波導經配置以在所述第一導電部件與所述第二導電部件之間傳輸電磁信號。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在將所述波導附接到所述第一電介質層之前，將所述波導附接到載體且使所述波導對準于所述第一導電部件與所述第二導電部件之間的位置。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括使所述載體脫離所述波導且在所述脫離之后對所述半導體結構執行熱操作。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在將所述波導附接到所述第一電介質層之后，使所述半導體結構退火。

5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在將所述波導附接到所述第一電介質層之前，在不同于用于沉積所述第一電介質層的第二腔室的第一腔室中制造所述波導。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括形成分別與所述第一導電部件及所述第二導電部件對準的第三導電部件及第四導電部件，其中所述第三導電部件及所述第四導電部件與所述波導接觸。

7.一種制造半導體結構的方法，其包括：

在襯底上方沉積電介質層；

在所述電介質層上方形成第一導電部件及第二導電部件；

將波導的第一端及第二端分別接合到所述第一導電部件及所述第二導電部件；及

形成分別接觸所述波導的所述第一端及所述第二端的第三導電部件及第四導電部件。

8.根據權利要求7所述的方法，其進一步包括：

形成延伸穿過所述襯底的至少一部分的導電通路；及

在所述襯底上方安置導電凸塊以通過所述導電通路將所述第一導電部件或所述第二導電部件電連接到所述導電凸塊。

9.根據權利要求7所述的方法，其進一步包括：

分別在所述第一導電部件及所述第二導電部件上方安置第一裸片及第二裸片；及

在所述第一裸片與所述電介質層之間或所述第二裸片與所述電介質層之間形成將所述第一裸片電連接到所述第一導電部件或將所述第二裸片電連接到所述第二導電部件的導電凸塊。

10.一種半導體結構，其包括：

襯底；

重布層，其安置于所述襯底上方且包括：

第一電介質層，其在所述襯底上方；

第一導電部件及第二導電部件，其在所述第一電介質層內；

波導，其在所述第一電介質層上方且接合到所述第一導電部件及所述第二導電部件；

第二電介質層，其橫向包圍所述波導；

第三導電部件及第四導電部件，其耦合到所述波導；及

第五導電部件，其在所述第一電介質層內且位于所述第一導電部件與所述襯底的表面之間；及

半導體裸片，其在所述重布層上方且電連接到所述第一導電部件。