[發明專利]一種二維材料層制備后轉移方法

在審

• 申請號: 202010622448.2
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111763923A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 張波;劉運啟;薛忠營;郭旺
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/26;C23C16/01
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 魏峯;黃志達

1.一種二維材料層的轉移方法，包括：

(1)在襯底表面形成二維材料層，在該二維材料層上旋凃高分子涂層，所述高分子涂層為PPA；

(2)將襯底腐蝕掉，再將腐蝕掉襯底的二維材料層放置于基體上，然后置于加熱板上加熱，除去高分子涂層，將二維材料層轉移到基體上。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟(1)中襯底包括鍺襯底；二維材料層包括石墨烯；二維材料層的層數為1層。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟(1)中在襯底表面形成二維材料層的方法包括化學氣相沉積。

4.根據權利要求3所述方法，其特征在于，所述化學氣相沉積的工藝條件為：原料包括氫氣、甲烷、氬氣的混合氣，900℃，10h生長時長。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟(2)中將襯底腐蝕掉是采用腐蝕液氫氟酸、雙氧水和去離子水的混合液體。

6.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟(2)中基體為二氧化硅材料。

7.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟(2)中加熱溫度為110～130℃。

8.一種如權利要求1所述方法制備得到的二維材料層。

9.一種如權利要求1所述方法制備得到的二維材料層的應用。