[發(fā)明專利]一種TMAH蝕刻液的制備蝕刻方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010621821.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN111876157A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬正收;王金城
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎮(zhèn)江潤晶高純化工科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K13/00
• 分類號(hào): C09K13/00;C09K13/08;H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616
• 代理人: 陳月婷

1.一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟:

(a)稱取一定量的TMAH溶液盛放至聚四氟乙烯桶中，然后加入一定量的醇類,攪拌均勻后成為TMAH+醇溶液，然后置于水浴中,并將TMAH+醇溶液加熱至一定溫度并保持。

(b)用HDPE稱量瓶稱取一定量的氫氟酸；

(c)稱取超純水并盛放至開口的聚四氟乙烯桶中

(d)將稱好的氫氟酸小心倒入用聚四氟乙烯桶盛裝的超純水中，把桶蓋密閉，搖勻，使氫氟酸溶液濃度為0.1％-5％。

(e)用聚四氟乙烯夾小心取出1片硅片。

(f)將硅片用聚四氟乙烯夾小心斜放(正面向上)入氫氟酸溶液中并完全浸沒，去除單晶硅片表面圖形的自然氧化層,保留圖形以外區(qū)域的氧化硅。

(g)取出氫氟酸中硅片并用超純水反復(fù)清洗，將氫氟酸清洗干凈(測(cè)試清洗水PH同超純水PH值，顯中性即可)。

(h)將清洗干凈的硅片吹干，用聚四氟乙烯夾小心斜放(正面向上)至一定溫度TMAH+醇的溶液中并完全浸沒一定時(shí)間。

(i)取出TMAH+醇溶液中的硅片用超純水反復(fù)清洗，將TMAH清洗干凈(測(cè)試清洗水PH同超純水PH值，顯中性即可)。

(j)用電吹風(fēng)小心將硅片吹干(離硅片遠(yuǎn)一些，溫度不能過高)，將硅片按取出方位裝入原包裝盒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，步驟(f)中的單晶硅片的晶向?yàn)榫?100)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述的蝕刻液按重量百分比包括以下組分：四甲基氫氧化銨2％～37％，醇類5％～30％，水50％～80％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述醇類為甲醇、乙醇、異丙醇、PEG、乙二醇、丙三醇、苯甲醇。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述氫氟酸的濃度為5-50％的氫氟酸溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述水浴溫度為20-98℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述的TMAH+醇溶液溫度為20-98℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述的TMAH+醇溶液中的蝕刻時(shí)間為10-400分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TMAH蝕刻液制備蝕刻方法，其特征在于，所述硅片用聚四氟乙烯夾小心斜放(正面向上)入氫氟酸溶液中并完全浸沒時(shí)間為0.1-10分鐘。