[發(fā)明專利]低翹曲扇出型加工方法及其基材的生產(chǎn)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010618986.4 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN112233985A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金榛洙;肖宇 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L23/15;C03B23/203;C03B33/07;C03B33/08;C03C15/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張璐;江磊 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低翹曲扇出型 加工 方法 及其 基材 生產(chǎn) | ||
1.一種扇出型加工的方法,所述方法包括:
提供或獲得熔合玻璃層壓片或晶片,其具有芯體層以及第一包層和第二包層,所述芯體層包括具有芯體玻璃熱膨脹系數(shù)α芯體的芯體玻璃,所述第一包層和第二包層各自包括具有包層玻璃熱膨脹系數(shù)α包層的包層玻璃,其中,α包層α芯體;
將集成電路裝置固定到層壓片或晶片的第二包層;
在集成電路裝置上或上方形成扇出層;以及
移除一些第一包層以減少其上具有集成電路裝置和扇出層的所述片或晶片的翹曲。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,芯體層基本上由芯體玻璃組成。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中,第一包層和第二包層各自基本上由包層玻璃組成。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,提供或獲得熔合玻璃層壓片或晶片的步驟包括:使用熔合拉制機生產(chǎn)熔合玻璃層壓件。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,薄化第一包層的步驟包括:蝕刻第一包層。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,薄化第一包層的步驟包括:拋光或研磨第一包層。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其還包括:選擇層壓片或晶片的有效CTE以與僅針對管芯結合和填充過程的理想CTE相差在20%以內(nèi)。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法,其還包括:選擇層壓片或晶片的有效CTE以與僅針對管芯結合和填充過程的理想CTE相差在10%以內(nèi)。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法,其還包括:在第一扇出層上或上方形成額外的扇出層,以及移除更多的第一包層。
10.根據(jù)權利要求7或權利要求8所述的方法,其中,選擇層壓片或晶片的有效CTE的步驟還包括:
提供或獲得熔合玻璃層壓件,其具有芯體層以及第一包層和第二包層,所述芯體層具有芯體厚度t芯體并且包括具有芯體玻璃熱膨脹系數(shù)α芯體、芯體玻璃泊松比ν芯體和芯體玻璃彈性E芯體的芯體玻璃,第一包層和第二包層各自具有厚度t包層并且包括具有包層玻璃熱膨脹系數(shù)α包層、包層玻璃泊松比ν包層和包層玻璃彈性E包層的包層玻璃,
選擇期望的有效熱膨脹系數(shù)α有效,所述α有效大于
并且小于α芯體,以及
薄化第一包層和第二包層以產(chǎn)生薄化的第一包層和薄化的第二包層,其各自具有厚度t薄化,所述t薄化在以下范圍內(nèi):
從
至
其中,P是0.1、0.05、0.02、0.01或者甚至0.05。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





