[發(fā)明專利]一種植球模具及其植球方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010616943.2 | 申請日: | 2020-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN111725077A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯新飛 | 申請(專利權(quán))人: | 濟(jì)南南知信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人: | 葉宇 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)南市歷*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 種植 模具 及其 方法 | ||
1.一種植球模具,其包括依次可卡合的分立的下模、中模和上模;
所述下模包括第一基體,在所述第一基體的上表面具有陣列排布的多個半球槽,所述多個半球槽沿著第一方向成多行,沿著第二方向成多列,其中,所述第一方向與第二方向相互垂直;
所述中模包括第二基體,在所述第二基體中具有沿著所述第二方向延伸的多個第一引導(dǎo)槽,所述多個第一引導(dǎo)槽平行排布且貫穿所述第二基體,所述多個第一引導(dǎo)槽至少與所述多列的一部分上下對應(yīng)設(shè)置;
所述上模包括第三基體,在所述第三基體中具有沿著所述第一方向延伸的多個第二引導(dǎo)槽,所述多個第二引導(dǎo)槽平行排布且貫穿所述第三基體,所述多個第二引導(dǎo)槽至少與所述多行的一部分上下對應(yīng)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植球模具,其特征在于:其中,所述多個半球槽的直徑略大于導(dǎo)電球的直徑,所述多個半球槽的深度等于所述多個導(dǎo)電球的半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的植球模具,其特征在于:其中,所述第二基體的厚度等于所述多個半球槽的半徑,所述多個第一引導(dǎo)槽的寬度等于所述多個半球槽的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的植球模具,其特征在于:其中,所述第三基體的厚度等于所述多個半球槽的直徑的二分之一至三分之二,所述多個第二引導(dǎo)槽的寬度等于所述多個半球槽的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植球模具,其特征在于:所述多個第一引導(dǎo)槽與多個第二引導(dǎo)槽均勻排列,且所述多個第一引導(dǎo)槽的間距大于所述多列的間距,所述多個第二引導(dǎo)槽的間距大于所述多行的間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的植球模具,其特征在于:在所述第一基體的四周具有多個第一卡合槽,在所述第二基體的四周具有多個第一插入部,且所述多個第一插入部與所述多個第一卡合槽一一對應(yīng)可卡合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的植球模具,其特征在于:所述多個第一插入部呈中空狀態(tài)形成多個第二卡合槽,在所述第三基體的四周具有多個第二插入部,且所述多個第二插入部與所述多個第二卡合槽一一對應(yīng)可卡合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的植球模具,其特征在于:所述上模還包括在所述第三基體側(cè)面上的集球槽,其中,所述多個第二引導(dǎo)槽延伸至所述集球槽。
9.一種植球方法,其采用權(quán)利要求8所述的植球模具實施,具體包括以下步驟:
(1)根據(jù)植球所需的行間距和列間距,選擇所述中模和下模,其中所述多個第一引導(dǎo)槽的間距等于所述列間距,所述多個第二引導(dǎo)槽的間距等于所述行間距;
(2)將所述下模、中模、上模依次卡合固定;
(3)使用推球器將多個導(dǎo)電球的一部分推入所述多個第二引導(dǎo)槽中,并進(jìn)一步推入至多個第一引導(dǎo)槽和多個半球槽中;
(4)將所述多個導(dǎo)電球的剩余部分沿著所述第二引導(dǎo)槽推入集球槽;
(5)去除所述中模和上模;
(6)利用植球器將所述多個半球槽中的多個導(dǎo)電球吸起,并轉(zhuǎn)移至待互聯(lián)焊盤上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





