[發(fā)明專利]鑄造單晶硅錠及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010615816.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111705358A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳紅榮;胡動(dòng)力;張華利;宋亞飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B11/00 | 分類號(hào)： | C30B11/00;C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聰 |
| 地址： | 221004 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鑄造 單晶硅 及其 制備 方法 | ||
1.一種鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在坩堝的底部鋪設(shè)單晶籽晶，形成單晶籽晶層；
在所述單晶籽晶層的四周鋪設(shè)至少一根單晶條，所述單晶條與相鄰的單晶籽晶相互拼接，其中，所述單晶條的缺陷比值大于相鄰所述單晶籽晶的缺陷比值；
在所述單晶籽晶層與至少一根所述單晶條上裝硅料，加熱使硅料完全熔化、單晶籽晶層部分熔化，長(zhǎng)晶之后得到鑄造單晶硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述單晶條由以下方法制備得到：切割鑄造單晶塊得到頭部，之后檢測(cè)切割面的缺陷比值，將切割面的缺陷比值大于50％的頭部切割成多根單晶條。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，在所述單晶籽晶層的四周鋪設(shè)至少一根單晶條的操作中，所述單晶條的缺陷比值大于50％的切割面朝向相鄰的單晶籽晶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述單晶條為長(zhǎng)方體，所述單晶條的長(zhǎng)度和高度均與相鄰所述單晶籽晶的長(zhǎng)度和高度相同，所述單晶條的寬度為5mm～40mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，相互拼接的所述單晶條與相鄰所述單晶籽晶的側(cè)面晶向不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述單晶條的根數(shù)為若干根，若干根所述單晶條依次首尾拼接，相互拼接的相鄰兩根所述單晶條的側(cè)面晶向不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，裝硅料之前還包括以下步驟：
在所述單晶條的四周填充硅基漿料，所述硅基漿料為氮化硅與硅粉的混合漿料或者氮化硅漿料，干燥之后形成硅基填充條。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述氮化硅與硅粉的混合漿料中，所述氮化硅與所述硅粉的質(zhì)量比為(2～10)：1。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鑄造單晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述硅基填充條的高度與所述單晶籽晶的高度的比值為(5～7)：10。
10.一種鑄造單晶硅錠，其特征在于，由權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的鑄造單晶硅錠的制備方法制備得到。
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