[發(fā)明專利]收發(fā)裝置和基站

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010615408.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN113872631B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王強(qiáng);曹杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/40
• 分類號(hào): H04B1/40;H04B1/401;H04W88/08;H04B7/0413
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 余娜;劉芳

1.一種收發(fā)裝置，其特征在于，應(yīng)用于頻分雙工FDD系統(tǒng)，包括：

N個(gè)振子、N個(gè)匹配電路、N個(gè)環(huán)形器、N個(gè)第一濾波器、N個(gè)第二濾波器、N個(gè)接收通道以及N個(gè)發(fā)送通道；所述收發(fā)裝置工作于至少兩個(gè)頻段；N為自然數(shù)；

其中，所述環(huán)形器包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口通過所述匹配電路與所述振子連接；所述第二端口通過所述第一濾波器與所述發(fā)送通道連接；所述第三端口通過所述第二濾波器與所述接收通道連接；

所述匹配電路，用于所述振子和所述環(huán)形器的共軛匹配；

所述環(huán)形器的三個(gè)端口被配置為：從所述發(fā)送通道到所述接收通道隔離，從所述振子到所述發(fā)送通道隔離，從所述接收通道到所述振子隔離；以及，從所述接收通道到所述發(fā)送通道直通，從所述發(fā)送通道到所述振子直通，從所述振子到所述接收通道直通；

所述第一濾波器，用于所述發(fā)送通道的上行頻段的濾波；

所述第二濾波器，用于所述接收通道的下行頻段的濾波；

所述匹配電路包括電容匹配電路；

所述電容匹配電路包括一階或多階電容匹配單元，所述電容匹配單元包括：與所述振子并聯(lián)連接的微帶線和與所述微帶線串聯(lián)的電容，以及與所述振子串聯(lián)連接的微帶線；

或者，所述匹配電路包括開路支節(jié)匹配電路；

所述開路支節(jié)匹配電路包括一階或多階開路支節(jié)匹配單元，所述開路支節(jié)匹配單元包括：與所述振子并聯(lián)連接的開路線，以及與所述振子串聯(lián)連接的微帶線；

所述振子，包括四層金屬層，所述四層金屬層按照順序依次為第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層；

其中，所述第一金屬層，被配置為引向?qū)樱?/p>

所述第二金屬層，被配置為輻射層；

所述第三金屬層包括地板層和縫隙；

所述第四金屬層被配置為饋電層；

所述第三金屬層和所述第四金屬層用于組成微帶饋電結(jié)構(gòu)；所述第四金屬層的信號(hào)從所述第三金屬層的縫隙耦合到所述第二金屬層以進(jìn)行輻射，所述第一金屬層為來自所述第二金屬層的信號(hào)引入諧振點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設(shè)置有第一介質(zhì)層，所述第二金屬層和所述第三金屬層之間設(shè)置有第二介質(zhì)層，所述第三金屬層和所述第四金屬層之間設(shè)置有第三介質(zhì)層；所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)小于所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述第二金屬層的邊沿投影于所述第一金屬層的邊沿之內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述縫隙包括第一縫隙、第二縫隙和第三縫隙，所述第二縫隙和所述第三縫隙平行，所述第二縫隙和所述第三縫隙均與所述第一縫隙正交；所述第一縫隙的邊緣分別與所述第二縫隙和所述第三縫隙相接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述第一縫隙、所述第二縫隙和所述第三縫隙組成的縫隙區(qū)域沿水平或垂直對(duì)稱；將所述第一縫隙垂直投影與所述第四金屬層時(shí)，所述第一縫隙的幾何中心在所述第四金屬層的投影點(diǎn)位于所述第四金屬層的中心線上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述N為2，所述2個(gè)振子的極化分別為±45°極化或者0/90°極化，在所述兩個(gè)振子的縫隙區(qū)域垂直投影于所述兩個(gè)振子的第二金屬層時(shí)，所述兩個(gè)振子的縫隙區(qū)域的幾何中心，與所述兩個(gè)振子的第二金屬層的幾何中心在一條直線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的收發(fā)裝置，其特征在于，所述匹配電路中設(shè)置電容加載，用于實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。