[發明專利]一種高質量鈣鈦礦薄膜和鈣鈦礦太陽電池的制備方法有效
| 申請號： | 202010615405.1 | 申請日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN111710782B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發明（設計）人： | 章文峰;林埔安;黃躍龍 | 申請（專利權）人： | 西南石油大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 610500 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 質量 鈣鈦礦 薄膜 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，采用純水對PbI2層進行預處理，該處理先將水層覆蓋在PbI2層表面，靜置，最后去除水層。
2.一種鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、清洗基片；
S2、在清洗后的基片上旋涂SnO2旋涂液，得到SnO2電子傳輸層；
S3、將PbI2粉末溶解于DMF和DMSO的混合溶液配置成PbI2溶液，所述混合溶液由DMF和DMSO體積比按照1-19:1混合獲得；PbI2溶液的摩爾濃度為1-1.3mol/L，置于70℃下攪拌至溶解；
將PbI2溶液過濾后旋涂到SnO2電子傳輸層上，旋涂結束后將基片放置于70℃下加熱0-10min，制備得到PbI2層；
迅速將純水置于PbI2上，靜置1-300s，然后將水旋轉去除；
將FA/MA二元溶液旋涂到PbI2層上獲得鈣鈦礦層；
S4、配制空穴前驅體溶液，并將空穴前驅體溶液旋涂在鈣鈦礦層上，再對空穴傳輸層進行氧化；
S5、將具有空穴傳輸層的樣品再進行真空蒸鍍銀電極，電極厚度50~200nm，獲得鈣鈦礦太陽電池。
3.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中FA/MA二元溶液的制備方法如下：將CH（NH2）2I、CH3NH3Br和CH3NH3Cl按照質量濃度為60:6:6mg/mL溶解于異丙醇中，常溫攪拌至完全溶解即可。
4.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中旋涂PbI2溶液和FA/MA二元溶液的旋轉轉速為1500rpm、旋轉時間為30s。
5.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中旋轉去除水的旋轉轉速為500-6000rpm，旋轉時間為10-120s。
6.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中，制備好的鈣鈦礦層，置于空氣中退火，濕度為30-40%，退火溫度為140-150℃，時間為10-30min。
7.如權利要求2所述的鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟S4中空穴傳輸層的氧化為純氧氧化，氧化時間為60~180min。
8.如權利要求1所述鈣鈦礦薄膜的制備方法制備獲得的鈣鈦礦薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
