[發明專利]半導體光學器件

在審

• 申請號: 202010614651.5
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN112397994A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 浜田重剛;佐久間康;中原宏治
• 申請（專利權）人: 朗美通日本株式會社
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/028
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王增強

1.一種半導體光學器件，包括：

半導體襯底；

臺面條紋結構，該臺面條紋結構在半導體襯底上沿第一方向以條紋形狀延伸，并且包括在頂層上的接觸層；

相鄰層，該相鄰層在所述半導體襯底上并在與所述第一方向正交的第二方向上與所述臺面條紋結構相鄰；

鈍化膜，該鈍化膜覆蓋至少一部分的相鄰層；

樹脂層，該樹脂層在鈍化膜上；

電極，該電極電連接至接觸層并從接觸層連續延伸至樹脂層；和

無機絕緣膜，該無機絕緣膜從樹脂層連續延伸至電極下方的鈍化膜，與臺面條紋結構隔開，并完全介于電極和樹脂層之間。

2.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中

在半導體襯底上層疊有多個層，

所述多個層包括在第一方向上延伸的一對凹槽，

所述臺面條紋結構在該一對凹槽之間并且由多個層的各個層的部分的疊層組成，和

相鄰層與和臺面條紋結構相反的該一對凹槽之一相鄰，并且由多個層中的各層的其他部分的疊層組成。

3.根據權利要求2所述的半導體光學器件，其中，所述鈍化膜從所述相鄰層延伸穿過該一對凹槽到所述臺面條紋結構的側表面。

4.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中，所述相鄰層與所述臺面條紋結構相鄰并且構成掩埋異質結構。

5.根據權利要求4所述的半導體光學器件，其中

相鄰層包括在遠離所述臺面條紋結構的方向上向上傾斜的傾斜表面，和

鈍化膜不與該傾斜表面重疊。

6.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中，所述無機絕緣膜僅覆蓋所述樹脂層的一部分的表面。

7.根據權利要求6所述的半導體光學器件，其中

樹脂層包括側表面和被該側表面圍繞的頂表面，和

無機絕緣膜不與側表面的一部分重疊。

8.根據權利要求7所述的半導體光學器件，其中

樹脂層的側表面包括靠近所述臺面條紋結構的第一區域和與該臺面條紋結構相反的第二區域，和

無機絕緣膜覆蓋第一區域并且不與第二區域重疊。

9.根據權利要求8所述的半導體光學器件，其中

樹脂層的側表面還包括在第一區域和第二區域之間的第三區域，和

無機絕緣膜不與第三區域重疊。

10.根據權利要求7所述的半導體光學器件，其中，所述無機絕緣膜覆蓋整個頂表面。

11.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中，所述無機絕緣膜覆蓋所述樹脂層的整個表面。

12.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中，所述鈍化膜在與所述樹脂層相鄰的部分被所述無機絕緣膜覆蓋，并且在與所述樹脂層分離的部分處在接近臺面條紋結構的方向上從所述無機絕緣膜露出。

13.根據權利要求1所述的半導體光學器件，其中

相鄰層包括在頂表面上的凹部，

鈍化膜被布設置成到達凹部，和

樹脂層位于該凹部上。

14.一種半導體光學器件，包括：

臺面條紋結構，該臺面條紋結構包括接觸層；

相鄰層，該相鄰層與臺面條紋結構相鄰；

鈍化膜，該鈍化膜覆蓋至少一部分的相鄰層；

樹脂層，該樹脂層在鈍化膜上；

電極，該電極電連接至接觸層并從接觸層連續延伸至樹脂層；和

無機絕緣膜，該無機絕緣膜從樹脂層延伸至電極下方的鈍化膜。

15.根據權利要求14所述的半導體光學器件，其中，所述相鄰層包括在遠離所述臺面條紋結構的方向上向上傾斜的傾斜表面。