[發明專利]一種雙注入倍增型有機光電探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 202010614343.2 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111883664B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 安濤;張俊 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 王丹 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 注入 倍增 有機 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙注入倍增型有機光電探測器,其特征在于,包括玻璃基片(1),所述玻璃基片(1)表面上鍍有ITO電極層(2),所述ITO電極層(2)由下而上依次為陽極緩沖層(3)、活性層(4)、Al電極層(5);
所述陽極緩沖層(3)由C60薄層構成,用來阻擋光生空穴,聚集的光生空穴誘導外電路電子注入,所述活性層(4)為由電子給體材料P3HT和電子受體材料PC61BM以及C70構成的復合層;
所述P3HT、PC61BM及C70的質量比為10:10:0.3。
2.根據權利要求1所述的一種雙注入倍增型有機光電探測器,其特征在于,所述陽極緩沖層(3)的厚度為10nm~20nm,所述活性層(4)厚度為150nm~200nm,Al電極層(5)的厚度為75nm~100nm。
3.一種如權利要求1所述的雙注入倍增型有機光電探測器的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、先在玻璃基片(1)上鍍ITO電極層(2),再對玻璃基片(1)進行清潔處理;
步驟2、在經步驟1處理后的玻璃基片(1)上蒸鍍C60,形成陽極緩沖層(3);
步驟3、先將P3HT、 PC61BM、C70溶于二氯苯中形成混合溶液,將混合溶液旋涂在陽極緩沖層(3)表面上,形成活性層(4);
步驟4、將經步驟3所得到的玻璃基片(1)放入真空蒸鍍機中蒸鍍Al電極層(5);
步驟5、對經步驟4所得的玻璃基片(1)依次進行加熱、降溫,得到有機光電探測器。
4.根據權利要求3所述的一種雙注入倍增型有機光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟1的清潔過程為:先采用去離子水對玻璃基片(1)進行超聲清洗15min~20min,接著采用丙酮對玻璃基片(1)進行超聲清洗15min~20min,然后采用無水乙醇超聲清洗15min~20min,并用純氮氣吹干或紅外烘干,最后采用紫外臭氧對所述玻璃基片(1)進行光清洗。
5.根據權利要求3所述的一種雙注入倍增型有機光電探測器的制備方法,步驟3中旋涂過程中:旋涂速率為500rpm~700rpm,旋涂時間為50s~70s。
6.根據權利要求3所述的一種雙注入倍增型有機光電探測器的制備方法,步驟5具體為:對經步驟4所得的玻璃基片(1)進行加熱到90℃~120℃,恒溫保持15min~20min,之后將溫度降到室溫,得到有機光電探測器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安理工大學,未經西安理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010614343.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種瓜類切絲機
- 下一篇:一種負載均衡方法、裝置及計算機存儲介質
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





