[發明專利]一種應用于FLASH的高速SPI指令應答電路有效
| 申請號: | 202010613528.1 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111506529B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 劉佳慶 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯天下技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16 |
| 代理公司: | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區橫*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 flash 高速 spi 指令 應答 電路 | ||
本發明公開了一種應用于FLASH的高速SPI指令應答電路,通過改進FLASH內部的地址產生電路和指令產生電路,使可采用更高速率與外界數據交流;對路徑較長,時序較差,組合邏輯較多的特定操作指令進行單獨及綜合解析,使其在不影響其他指令速度及不增加空閑時鐘周期前提下提高速度;另一方面,讀取FLASH數據時地址采用分段送達存儲單元,讓存儲單元提前分批確定高位/次高位/低位地址等信息,比最后完全接收到地址才送給存儲模塊的模式要更快輸出數據,同時減少因移位而使地址在SPI接收地址階段而產生的地址頻繁變化,影響模擬判斷而降低讀取速度;可有效提高FLASH操作速度,滿足5G互聯網市場對快閃FLASH的操作要求。
技術領域
本發明涉及信息存儲電路領域,尤其涉及的是一種應用于FLASH的高速SPI指令應答電路。
背景技術
FLASH一般采用SPI協議的指令,簡單高效,但由于近年來隨著5G互聯網的發展,對FLASH的讀寫擦尤其是讀指令的速度有比較高的要求,傳統模式的電路無法實現高速的要求。有些設計為了提高響應速度,在收到指令后,通過增加多級寄存器提高響應速度,但會在指令與數據輸出之間增加幾個空閑時鐘,增加了讀取的周期數,也破壞和其他產品的兼容性。
上述方案的不足之處在于由于內部高速時鐘的存在,外部時鐘存在上限問題,一般當外部時鐘頻率大于內部高速時鐘的四分之一時,內部時鐘信號或者控制信號將不會穩定地產生,導致數據無法傳輸;由于內部高速時鐘的存在,功耗也會很大;而多管腳復用會在某些狀態下導致不能使用的問題。
因此,現有的技術還有待于改進和發展。
發明內容
本發明的目的在于提供一種應用于FLASH的高速SPI指令應答電路,旨在解決串行輸出的快閃存儲器的數據傳輸速率慢的問題。
本發明的技術方案如下:一種應用于FLASH的高速SPI指令應答電路,其中,包括:
SPI接口模塊,接收外部傳輸的指令數據和地址數據、輸出從FLASH內的存儲單元讀取的數據;
地址產生電路,接收SPI接口模塊輸入的地址數據,將地址數據進行分組傳輸提供給FLASH內的存儲單元;
指令產生電路,接收SPI接口模塊輸入的指令數據,將指令數據從串行輸入轉換成并行傳輸,并對特定的操作指令執行先組合邏輯再寄存后發送至FLASH內的存儲單元和地址產生電路,對非特定指令數據執行先寄存再組合邏輯后發送至FLASH內的存儲單元和地址產生電路。
本技術方案針對影響傳輸速度的問題進行優化,從而設計出了一種比普通的FLASH速度更快的高速SPI指令應答電路;對路徑較長,時序較差,組合邏輯比較多的特定操作指令進行單獨解析,以及綜合解析,使其在不影響其他指令的速度,以及不增加空閑時鐘周期的前提下提高速度,另一方面,讀取FLASH數據時地址采用分段送達到FLASH內的存儲單元,讓FLASH內的存儲單元提前分批確定ARRAY/soctor/WL等信息,比最后完全接收到地址才送給存儲模塊的模式要更快輸出數據,同時減少因移位而使地址在SPI接收地址階段而產生的地址頻繁變化,影響模擬判斷而降低讀取的速度,因為減少地址改變次數以及提前給出地址的高位數據從而提高讀取FLASH的速度,能夠滿足現在5G互聯網市場對快閃FLASH的讀操作的要求。
所述的應用于FLASH的高速SPI指令應答電路,其中,所述SPI接口模塊包括接收外部傳輸的指令數據和地址數據的SPI輸入接口輸出從FLASH內的存儲單元讀取的數據的SPI輸出接口。
所述的應用于FLASH的高速SPI指令應答電路,其中,所述SPI接口模塊接收的外部傳輸的數據包括外部傳輸時鐘信號SCK和輸入數據信號。
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