[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010611770.5 | 申請日: | 2020-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN111739915B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 代好;張正川;馬揚昭;夏志強 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 430205 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
顯示區,所述顯示區包括第一顯示區、第二顯示區和光感元件設置區,所述第一顯示區至少部分圍繞所述第二顯示區,所述第二顯示區圍繞所述光感元件設置區;
襯底基板;
多個子像素,位于所述襯底基板一側的所述顯示區內;所述光感元件設置區中單位面積內所述子像素的數量小于所述第一顯示區中單位面積內所述子像素的數量;
多個色阻和黑矩陣,位于所述多個子像素遠離所述襯底基板一側,所述黑矩陣圍繞形成開口,所述子像素在所述襯底基板的垂直投影位于至少部分所述開口在所述襯底基板的垂直投影內,所述色阻在所述襯底基板的垂直投影與至少部分所述開口在所述襯底基板的垂直投影交疊,所述色阻與所述子像素一一對應設置;
其中,所述第二顯示區中單位面積內所述黑矩陣的面積大于或者等于所述第一顯示區中單位面積內所述黑矩陣的面積,所述第一顯示區中單位面積內所述黑矩陣的面積大于所述光感元件設置區中單位面積內所述黑矩陣的面積。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二顯示區中的所述黑矩陣覆蓋所述開口外的全部區域。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述黑矩陣包括位于所述第一顯示區的第一黑矩陣、位于所述第二顯示區的第二黑矩陣和位于所述光感元件設置區的第三黑矩陣;
所述第二黑矩陣的厚度小于所述第三黑矩陣的厚度,所述第三黑矩陣的厚度小于所述第一黑矩陣的厚度。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,沿著所述第一顯示區指向所述光感元件設置區的方向上,所述第二黑矩陣的厚度逐漸增加。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個子像素沿第一方向和第二方向陣列排布,所述第一方向與所述第二方向交叉;
沿所述第一方向上,所述開口的邊緣在所述襯底基板垂直投影與該開口暴露的所述子像素在所述襯底基板垂直投影之間的距離為第一距離;
沿所述第二方向上,所述開口的邊緣在所述襯底基板垂直投影與該開口暴露的所述子像素在所述襯底基板垂直投影之間的距離為第二距離;
所述第二顯示區中的所述第一距離大于所述光感元件設置區中的所述第一距離,所述光感元件設置區中的所述第一距離大于所述第一顯示區中的所述第一距離;和/或,所述第二顯示區中的所述第二距離大于所述光感元件設置區中的所述第二距離,所述光感元件設置區中的所述第二距離大于所述第一顯示區中的所述第二距離。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,多個所述子像素包括顯示子像素和虛設子像素;所述第一顯示區包括所述顯示子像素,所述第二顯示區包括所述顯示子像素和所述虛設子像素;
所述第二顯示區中單位面積內所述顯示子像素的數量小于所述第一顯示區中單位面積內所述顯示子像素的數量;
多個所述開口包括第一開口和第二開口,所述顯示子像素在所述襯底基板垂直投影位于所述第一開口在所述襯底基板垂直投影內,所述虛設子像素在所述襯底基板垂直投影位于至少部分所述第二開口在所述襯底基板垂直投影內。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第一開口在所述襯底基板垂直投影的面積大于所述第二開口在所述襯底基板垂直投影的面積。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素包括第一電極、有機發光功能層和第二電極,所述有機發光功能層位于所述第一電極與所述第二電極之間;
所述顯示面板還包括像素限定層,所述像素限定層位于所述第一電極與所述第二電極之間,所述像素限定層包括多個通孔,所述通孔在所述襯底基板垂直投影位于所述第一開口在所述襯底基板的垂直投影內;
所述顯示子像素中,所述有機發光功能層位于所述通孔中,并與所述第一電極接觸;
所述虛設子像素中,所述第一電極與所述有機發光功能層之間間隔有所述像素限定層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





