[發明專利]鐵電隨機存取存儲器只讀存儲器字線架構及上電復位方法

有效

• 申請號: 202010611460.3
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111833932B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 潘鋒
• 申請（專利權）人: 無錫拍字節科技有限公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 李鏑的

本發明的實施例涉及隨機存取存儲器(RAM)電路配置的架構。例如，某些實施例涉及鐵電RAM(FRAM)只讀存儲器(ROM)字線架構。一種用于對存儲器進行上電復位的方法可以包括使存儲器上電。該方法還可以包括：讀取存儲器的第一配置字線的第一位中的第一標志，其中第一配置字線是多個冗余配置字線之一。該方法還可以包括：當第一標志指示第一配置字線為有效時，讀取該字線的預定數目的字節。該方法附加地可以包括：當第一標志指示第一配置字線為有效時，基于所述預定數目的字節配置存儲器的操作。

技術領域

本發明的實施例涉及隨機存取存儲器(RAM)電路配置的架構。例如，某些實施例涉及鐵電RAM(FRAM)只讀存儲器(ROM)字線架構。

背景技術

FRAM器件可以包括ROM字線，所述ROM字線可以包含ROM熔絲數據(ROMFUSE data)。例如，ROM熔絲數據可以包括配置位信息和模擬修整參數(analog trimming parameter)。ROM熔絲數據可以被傳輸到外圍設備中的觸發器/鎖存器/寄存器，以供電路在存儲器件上電以后使用。包括ROM熔絲數據的ROM字線可以是如下區域：在所述區域中，保留對個別化的FRAM器件唯一的信息并且禁止從外部的訪問。因此，例如ROM字線可能不能被處理器或運行在配備有FRAM器件的主機設備的處理器上的應用尋址。相反，包含ROM熔絲數據的ROM字線可能被保留以用于FRAM器件的配置。

發明內容

在此公開了FRAM ROM字線架構的實施例。

根據本發明的一方面，一種用于對存儲器進行上電復位的方法包括：使存儲器上電。該方法還可以包括：讀取存儲器的第一配置字線的第一位中的第一標志，其中第一配置字線是多個冗余配置字線之一。該方法還可以包括：當第一標志指示第一配置字線為有效時，讀取該字線的預定數目的字節。該方法附加地可以包括：當第一標志指示第一配置字線為有效時，基于所述預定數目的字節配置存儲器的操作。

在一些實施例中，該方法還可以包括：當第一標志指示第一配置字線為無效時，讀取存儲器的第二配置字線的第一位中的第二標志。第二配置字線也可以是多個冗余的配置字線之一。

在一些實施例中，該方法還可以包括：當第二標志指示第二配置字線為有效時，讀取字線的預定數目的字節；以及當第二標志指示第二配置字線為有效時，基于所述預定數目的字節配置存儲器的操作。

在一些實施例中，該方法還可以包括：當第二標志指示第二配置字線為無效時，讀取存儲器的第三配置字線的第一位中的第三標志。第三配置字線也可以是多個冗余的配置字線之一。

在一些實施例中，可以連續地讀取第一標志之后的多個標志，直到某標志指示：相應配置字線為有效的。

在一些實施例中，第一配置字線可以包括ROM熔絲字線。

在一些實施例中，讀取預定數目的字節可以包括：一次讀取四字節，讀取五次。

在一些實施例中，所述預定數目的字節包括：1位用于標志；3位用于器件用戶配置；3位用于邏輯字線1使能1ns延遲選項；88位用于模擬和陣列設計選項；64位用于冗余性內容可尋址存儲器；以及1位指定為未使用。

在一些實施例中，存儲器可以包括多個扇區，每個扇區都具有多個子陣列。每個子陣列都可以包括多個冗余配置字線中的相應之一。

在一些實施例中，存儲器可以針對每512字線包括多個冗余配置字線之一。