[發明專利]一種TFT背板結構及制作方法

在審

• 申請號: 202010610465.4
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111739895A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 溫質康;林佳龍;喬小平
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種TFT背板結構，其特征在于，包括：基板、第一有源層、第一柵極絕緣層、第一柵極層、鈍化層、平坦層、電極層、第一應力緩沖層、第一金屬層、第二金屬層；

所述第一有源層置于基板上，且所述第一柵極絕緣層設置在第一有源層上，在所述第一柵極絕緣層上設置有第一柵極層；所述鈍化層覆蓋在第一有源層、第一柵極絕緣層、第一柵極層上；所述第一金屬層設置于鈍化層上，且分別置于第一柵極層上方兩側，所述鈍化層上還設置有以第一有源層為底的兩個通孔，所述第一金屬層通過兩個通孔分別與第一有源層連接；所述第一應力緩沖層置于第一金屬層上，所述第二金屬層設置于第一應力緩沖層上，所述第二金屬層包覆所述第一應力緩沖層，且所述第二金屬層與第一金屬層連接；所述平坦層覆蓋在第一應力緩沖層、第一金屬層、第二金屬層上，所述電極層置于平坦層上，且通過平坦層上的一個通孔與一個第二金屬層連接。

2.根據權利要求1所述一種TFT背板結構，其特征在于，在所述基板與第一有源層之間還包括：遮光層、緩沖層；所述遮光層設置于基板上，所述緩沖層覆蓋于遮光層上，且第一有源層置于所述緩沖層上。

3.根據權利要求1或2所述一種TFT背板結構，其特征在于，還包括：儲存電容，所述儲存電容設置于第一金屬層一側，所述儲存電容包括：第三金屬層、第四金屬層、第二應力緩沖層；所述第三金屬層設置于所述鈍化層上，所述第二應力緩沖層置于所述第三金屬層上，所述第四金屬層置于所述第二應力緩沖層上。

4.根據權利要求3所述一種TFT背板結構，其特征在于，所述儲存電容還包括：第二有源層、第二柵極絕緣層、第二柵極層

所述第二有源層置于緩沖層上，所述第二柵極絕緣層設置在第二有源層上，所述第二柵極絕緣層上設置有第二柵極層，且所述鈍化層覆蓋第二有源層、第二柵極絕緣層、第二柵極層上；且所述平坦層覆蓋在第三金屬層、第四金屬層、第二應力緩沖層上。

5.根據權利要求4所述一種TFT背板結構，其特征在于，所述遮光層寬度大于第一有源層、第二有源層寬度。

6.根據權利要求1所述一種TFT背板結構，其特征在于，第一應力緩沖層為有機絕緣層。

7.一種TFT背板結構的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上制作第一有源層；

制作第一柵極絕緣層于第一有源層上；

沉積第一柵極層于第一柵極絕緣層上；

制作鈍化層，并蝕刻鈍化層形成以第一有源層為底的兩個通孔；

沉積第一金屬層在兩個所述通孔上，所述第一金屬層通過兩個通孔與第一有源層連接；

制作第一應力緩沖層于第一金屬層上；

沉積第二金屬于第一應力緩沖層上，曝光顯影脫膜所述第二金屬層制得第二金屬層膜，所述第二金屬層膜包覆所述第一應力緩沖層，且所述第二金屬層膜與第一金屬層連接；

制作平坦層，并蝕刻平坦層形成以第二金屬層為底的一個通孔；

制作電極層，所述電極層通過平坦層上的通孔與第二金屬連接。

8.根據權利要求7所述一種TFT背板結構的制作方法，其特征在于，在步驟“沉積第一金屬層在兩個所述通孔上”時，同時在鈍化層上沉積第三金屬層；

在步驟“制作第一應力緩沖層于第一金屬層上”時，同時在第三金屬層上制作第二應力緩沖層；

在步驟“沉積第二金屬于第一應力緩沖層上”時，同時在第二應力緩沖層上制作第四金屬層，曝光顯影脫膜所述第四金屬層制得第四金屬層膜。

9.根據權利要求7所述一種TFT背板結構的制作方法，其特征在于，還包括步驟：

在步驟“制作第一有源層”時，同時在第一有源層一側制作第二有源層；

在步驟“制作第一柵極絕緣層于第一有源層上”時，同時在第二有源層上制作第二柵極絕緣層；

在步驟“沉積第一柵極層于第一柵極絕緣層上”時，同時在第二柵極絕緣層上沉積第二柵極層。

10.根據權利要求7所述一種TFT背板結構的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層、電極層均采用物理氣相沉積法沉積；所述第一柵極絕緣層、鈍化層、平坦層均采用化學氣相沉積法沉積。