[發(fā)明專(zhuān)利]一種太陽(yáng)能電池及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010610350.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111668345A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊詩(shī)龍;金井升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科綠能(上海)管理有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 錢(qián)嫻靜

本申請(qǐng)涉及光伏領(lǐng)域，提供一種太陽(yáng)能電池及其制備方法，其中，方法包括以下步驟：(1)對(duì)制絨后的硅片進(jìn)行正面硼擴(kuò)散，形成硼擴(kuò)散層及硼硅玻璃；(2)對(duì)硅片進(jìn)行背面刻蝕后進(jìn)行氧化，形成隧穿氧化層；(3)在隧穿氧化層表面沉積非晶硅層；(4)去除硅片正面繞鍍的非晶硅層；(5)對(duì)非晶硅層進(jìn)行磷摻雜，形成摻雜型非晶硅層及磷硅玻璃層；(6)去除硼硅玻璃層和磷硅玻璃層。本申請(qǐng)的太陽(yáng)能電池及其制備方法，能夠有效降低去繞鍍處理產(chǎn)生的過(guò)刻現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)

由于光伏組件作為新能源行業(yè)中的重要組成部分，得益于其靈活的發(fā)電方式、強(qiáng)悍的環(huán)境適應(yīng)能力，使得光伏組件獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。

隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon，Tunnel Oxide Passivated Contact)技術(shù)是一種新型硅太陽(yáng)能電池技術(shù)，具體地，首先在電池背面制備一層超薄(1.5nm左右)氧化硅，然后再沉積一層摻雜非晶硅層，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，這兩層材料為硅片的背面提供了良好的表面鈍化，由于氧化層很薄，摻雜的非晶硅層對(duì)于多子來(lái)說(shuō)具有很好的傳導(dǎo)性，多子可以穿透這兩層鈍化層，而少子則被阻擋，極大地降低了少子的復(fù)合速率，因而TOPCon電池具有高的開(kāi)路電壓和填充因子。

在多晶硅鍍膜過(guò)程中，硅襯底正面的繞鍍一直是阻礙TOPCon電池量產(chǎn)的主要問(wèn)題。在對(duì)背面非晶硅磷摻雜的過(guò)程中，磷也會(huì)向硅片正面擴(kuò)散，破壞硅片正面的硼硅玻璃層(BSG)，導(dǎo)致去繞鍍的藥液與正面硅片反應(yīng)，硅片正面產(chǎn)生過(guò)刻現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N太陽(yáng)能電池及其制備方法，能夠有效降低去繞鍍處理產(chǎn)生的過(guò)刻現(xiàn)象。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池制備方法，包括以下步驟：

(1)對(duì)制絨后的硅片進(jìn)行正面硼擴(kuò)散，形成硼擴(kuò)散層及硼硅玻璃層；

(2)對(duì)所述硅片進(jìn)行背面刻蝕后進(jìn)行氧化，形成隧穿氧化層；

(3)在所述隧穿氧化層表面沉積非晶硅層；

(4)去除所述硅片正面繞鍍的非晶硅層；

(5)對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行磷摻雜，形成摻雜型非晶硅層及磷硅玻璃層；

(6)去除所述硼硅玻璃層和所述磷硅玻璃層。

在一種實(shí)施方式中，在步驟(6)之后，所述方法還包括：

(7)在所述硅片的正面和/或背面制備鈍化層；

(8)對(duì)所述硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)形成電極。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟(4)，包括：用配制好的混合酸清洗所述硅片正面繞鍍的非晶硅層100～120秒，所述混合酸包括體積占比為10～12％的氫氟酸溶液、體積占比為45～50％的硝酸溶液、體積占比為10～13％的硫酸溶液及體積占比為25～30％的水。

在一種實(shí)施方式中，所述混合酸的溫度控制在8～12℃。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟(6)，包括：用配制好的氫氟酸溶液清洗所述硼硅玻璃層和所述磷硅玻璃層100～120秒，所述氫氟酸的體積占比為20～25％及體積占比為75～80％的水。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟(6)中的氫氟酸的溫度控制在20～25℃。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟(2)，包括：采用硝酸氧化法、臭氧水氧化法或熱氧化法對(duì)所述硅片進(jìn)行背面刻蝕之后進(jìn)行氧化，形成隧穿氧化層。

在一種實(shí)施方式中，所述步驟(3)，包括：采用低壓化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、常壓化學(xué)氣相淀積中的任意一種方法在所述隧穿氧化層的表面沉積非晶硅層。