[發(fā)明專利]適用于太陽能電池的硅片及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010603145.6
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111697089A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁建明;崔俊虎;袁地春;崔鐘亨
• 申請（專利權(quán)）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/05;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 俞春雷

1.一種適用于太陽能電池的硅片，其特征在于，所述硅片包括本體以及位于所述本體相對兩面的正面和背面，所述硅片的正面包括用于接收光線的接收區(qū)以及用于印刷柵線的柵線區(qū)，所述接收區(qū)內(nèi)設(shè)置有凹坑，所述凹坑用于降低所述硅片的反射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其特征在于，所述凹坑規(guī)則地分布在所述接收區(qū)內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片，其特征在于，所述凹坑的直徑為10～100μm，所述凹坑的深度為1～20μm，同一個接收區(qū)內(nèi)相鄰所述凹坑之間的距離為0～10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片，其特征在于，所述凹坑的直徑為20～40μm，所述凹坑的深度為5～15μm，同一個接收區(qū)內(nèi)相鄰的凹坑之間緊密連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片，其特征在于，所述凹坑為采用激光處理形成。

6.一種如權(quán)利要求1-5任意一項所述的適用于太陽能電池的硅片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：對所述硅片正面的接收區(qū)進(jìn)行激光處理，所述激光處理用于在所述硅片正面的接收區(qū)內(nèi)形成所述凹坑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括對激光處理后的硅片的正面進(jìn)行刻蝕，所述刻蝕用于去除激光處理后硅片表面產(chǎn)生的熔融硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在刻蝕后的酸液制絨步驟，所述酸液制絨為采用混合酸制絨液對刻蝕后的硅片進(jìn)行正面和背面制絨。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在所述酸液制絨之后的擴(kuò)散步驟，所述擴(kuò)散步驟用于在所述硅片上形成PN結(jié)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括金屬化步驟，所述金屬化步驟用于在所述柵線區(qū)內(nèi)形成柵線。