[發(fā)明專利]倒裝芯片和芯片封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010601611.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN113851437A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻勇;龔雪瑞;張昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開提供了一種倒裝芯片和芯片封裝結(jié)構(gòu)，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該倒裝芯片包括驅(qū)動(dòng)芯片和多個(gè)導(dǎo)電連接件；其中，驅(qū)動(dòng)芯片具有用于朝向一布線基板的封裝面；任意一個(gè)所述導(dǎo)電連接件包括連接于所述封裝面的導(dǎo)電凸點(diǎn)和位于所述導(dǎo)電凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)芯片一側(cè)的導(dǎo)電外延部。該倒裝芯片能夠提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種倒裝芯片和芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在使用雙面走線的覆晶薄膜(COF)產(chǎn)品中，背面走線可以通過(guò)金屬化過(guò)孔換層至正面并進(jìn)而連接至位于正面的焊盤上。然而，此類覆晶薄膜的電特性不穩(wěn)定，采用這種覆晶薄膜的電子產(chǎn)品時(shí)有G亮線不良發(fā)生，且此類不良的發(fā)生具有進(jìn)行性無(wú)法預(yù)測(cè)的特點(diǎn)。這嚴(yán)重影響了電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性并制約了雙面走線的覆晶薄膜的推廣應(yīng)用。

所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種倒裝芯片和芯片封裝結(jié)構(gòu)，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本公開采用如下技術(shù)方案：

根據(jù)本公開的第一個(gè)方面，提供一種倒裝芯片，包括：

驅(qū)動(dòng)芯片，具有用于朝向一布線基板的封裝面；

多個(gè)導(dǎo)電連接件，任意一個(gè)所述導(dǎo)電連接件包括連接于所述封裝面的導(dǎo)電凸點(diǎn)和位于所述導(dǎo)電凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)芯片一側(cè)的導(dǎo)電外延部。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，沿垂直于所述封裝面方向，所述導(dǎo)電外延部的尺寸為所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的尺寸的10％～15％。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，沿垂直于所述封裝面方向，所述導(dǎo)電外延部的尺寸為1～3微米。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，沿垂直于所述封裝面方向，所述導(dǎo)電連接件的尺寸為10～20微米。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述導(dǎo)電外延部的熔點(diǎn)，低于所述導(dǎo)電凸點(diǎn)的熔點(diǎn)。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述倒裝芯片還包括：

絕緣隔離層，設(shè)于所述封裝面且暴露所述導(dǎo)電連接件。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，沿垂直于所述封裝面方向，所述絕緣隔離層的尺寸小于所述導(dǎo)電外延部的尺寸。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述倒裝芯片還包括：

多個(gè)絕緣凸點(diǎn)，連接于所述封裝面；所述絕緣凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述封裝面的一端與所述封裝面之間的距離，小于所述導(dǎo)電連接件沿垂直于所述封裝面方向的尺寸。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述絕緣凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述封裝面的一端與所述封裝面之間的距離，小于所述導(dǎo)電凸點(diǎn)沿垂直于所述封裝面方向的尺寸。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述絕緣凸點(diǎn)包括第一絕緣凸點(diǎn)和第二絕緣凸點(diǎn)；所述第一絕緣凸點(diǎn)與所述封裝面的邊緣的距離，小于所述第二絕緣凸點(diǎn)與所述封裝面的邊緣的距離；

沿垂直于所述封裝面的方向，所述第一絕緣凸點(diǎn)的尺寸大于所述第二絕緣凸點(diǎn)的尺寸。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述導(dǎo)電外延部的材料包括金和鎳。

根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括布線基板和上述的倒裝芯片；

所述布線基板具有芯片封裝區(qū)，且所述布線基板在所述芯片封裝區(qū)設(shè)置有金屬過(guò)孔和多個(gè)封裝焊盤；

所述倒裝芯片的各個(gè)所述導(dǎo)電連接件與各個(gè)所述封裝焊盤一一對(duì)應(yīng)地連接。