[發明專利]用于SSD的總線多路復用器網格的高級CE編碼

在審

• 申請號: 202010601063.8
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN113468082A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: D·沃斯曼;H·博魯霍夫;L·明茲;R·澤昌斯基
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 袁策

本公開總體涉及一種用于在數據存儲設備中的每個通道訪問更多管芯的方法和設備。每個閃存接口模塊(FIM)可以具有與其耦合的任何數量的總線多路復用器，并且每個總線多路復用器可以具有與其耦合的任何數量的存儲器設備。總線多路復用器可以串聯或并聯連接到FIM。各個總線多路復用器可以通過芯片使能(CE)命令進行尋址，該命令標識特定總線多路復用器以及特定總線多路復用器的特定存儲器設備。CE命令中的信息允許每個通道更多的管芯，而不產生信號干擾(SI)或限制傳輸性能。

技術領域

本公開的實施例總體涉及一種用于在數據存儲設備中的每個通道訪問更多管芯的方法和設備。

背景技術

在將客戶端SSD架構擴展到入門級企業架構時，支持高容量配置存在問題。具體地，由于多個管芯并聯導致NAND選擇和高電容負載存在問題，從而導致信號完整性問題。

關于NAND選擇，典型的高端控制器具有8個NAND通道，稱為閃存接口模塊(FIM)。每個FIM具有兩個芯片使能引腳(CE)，該兩個CE允許選擇兩個NAND組。由于空間限制，管芯的最大容量是諸如八個管芯。隨著對更高容量的需求不斷增加，控制器應該為每個FIM支持更多的管芯。然而，專用集成電路(ASIC)受2個CE限制。

關于電容負載，為了支持所需的主機性能，應將傳輸速度限制到極限。由于信號完整性(SI)問題，“連接”到通道的管芯的最大數量不能超過一定數量的管芯，諸如八個管芯。在某些情況下，更少的管芯可能產生嚴重的SI問題并限制傳輸性能。

因此，在本領域中需要在保持SI且不限制傳輸性能的同時在數據存儲設備中的每個通道訪問更多管芯。

發明內容

本公開總體涉及一種用于在數據存儲設備中的每個通道訪問更多管芯的方法和設備。每個閃存接口模塊(FIM)可以具有與其耦合的任何數量的總線多路復用器，并且每個總線多路復用器可以具有與其耦合的任何數量的存儲器設備。總線多路復用器可以串聯或并聯連接到FIM。各個總線多路復用器可以通過芯片使能(CE)命令進行尋址，該CE命令標識特定總線多路復用器以及特定總線多路復用器的特定存儲器設備。CE命令中的信息允許每個通道更多的管芯，而不產生信號干擾(SI)或限制傳輸性能。

在一個實施例中，一種數據存儲設備包括：多個存儲器設備；多個總線多路復用器，其中每個總線多路復用器耦合到多個存儲器設備中的一個或多個存儲器設備；以及閃存接口模塊，其耦合到多個總線多路復用器；以及控制器，其耦合到閃存接口模塊，其中控制器被配置為：通過閃存接口控制器發送芯片使能命令，其中芯片使能命令包括總線多路復用器標識符和存儲器設備標識符。

在另一個實施例中，一種數據存儲設備包括：控制器；多個閃存接口模塊，其耦合到控制器；多個總線多路復用器，其耦合到多個閃存接口模塊中的至少第一閃存接口模塊；以及多個存儲器設備，其耦合到多個總線多路復用器中的第一總線多路復用器，其中控制器被配置為：將第一信號發送到第一閃存接口模塊；將第二信號發送到第一閃存接口模塊，其中第二信號低于第一閃存信號；并且將命令信號發送到第一閃存接口模塊，其中第一信號、第二信號和命令信號是不同的。

在另一個實施例中，一種數據存儲設備包括：多個存儲器設備；多個總線多路復用器，其中每個總線多路復用器耦合到多個存儲器設備中的至少一個存儲器設備；閃存接口模塊，其耦合到多個總線多路復用器；以及用于將芯片使能命令信號遞送到多個存儲器設備中的第一存儲器設備的裝置，其中芯片使能命令信號包括總線多路復用器標識符和存儲器設備標識符。

附圖說明

為了可以詳細地理解本公開的上述特征的方式，可以通過參考實施例來對上面簡要概括的本公開進行更詳細的描述，其中的一些示例在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了本公開的典型實施例，并且因此附圖不應被認為是對其范圍的限制，因為本公開可以允許其他等效的實施例。

圖1是示出根據本公開的一種或多種技術的存儲系統的示意性框圖，其中存儲設備可以用作主機設備的存儲設備。