[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、柵極行驅(qū)動電路及陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010598519.X
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN113851485B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王利忠;寧策;胡合合;周天民;宋吉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/367;G09G3/20
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;陳麗寧

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

源極，包括源極走線和多個(gè)源極分支；

漏極，包括漏極走線和多個(gè)漏極分支；

與所述源極和所述漏極相絕緣的柵極；

及與所述源極分支和所述漏極分支相接觸連接的半導(dǎo)體層，包括多個(gè)半導(dǎo)體分支；

其中，多個(gè)所述源極分支、多個(gè)所述漏極分支與多個(gè)所述半導(dǎo)體分支接觸，并分為多個(gè)單元，每一單元包括M個(gè)源極分支、N個(gè)漏極分支和Q個(gè)半導(dǎo)體分支，M、N和Q均為大于或等于1的整數(shù)；

所述源極走線和所述漏極走線平行且間隔設(shè)置，所述源極走線和所述漏極走線中的一個(gè)的數(shù)量m為大于或等于2的整數(shù)，另一個(gè)的數(shù)量n為大于或等于1的整數(shù)；

多個(gè)所述單元設(shè)置在所述源極走線與相鄰的所述漏極走線之間的區(qū)域，以將多個(gè)所述單元排列為至少兩個(gè)單元行，每一所述單元行內(nèi)各單元的所述源極分支電連接同一根所述源極走線，每一所述單元行內(nèi)各單元的所述漏極分支電連接同一根所述漏極走線；

每一個(gè)所述單元行包括至少兩個(gè)所述單元，且每一所述單元行內(nèi)各單元之間保持預(yù)定間距；

所述薄膜晶體管內(nèi)所述單元的數(shù)量q大于或等于3，所述預(yù)定間距d的大小為50μm≤d≤450μm；

所述源極走線的第一端連接至?xí)r鐘脈沖信號走線，

所述柵極在襯底基板上的正投影與所述時(shí)鐘脈沖信號走線在所述襯底基板上的正投影不重疊，所述柵極上連接有柵極走線，所述柵極走線在所述襯底基板上的正投影與所述時(shí)鐘脈沖信號走線在所述襯底基板上的正投影交叉設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極走線和所述漏極走線交替設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述單元行內(nèi)各單元的所述漏極分支共用同一根所述漏極走線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述漏極分支和/或所述漏極走線的線寬為3~15μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極走線和所述漏極走線交替設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述單元行內(nèi)各單元的所述源極分支共用同一根所述源極走線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極走線的數(shù)量大于或等于2，所述漏極走線的數(shù)量大于或等于2，一個(gè)所述源極走線和一個(gè)所述漏極走線相鄰設(shè)置，并形成為一組走線；

同一組走線內(nèi)的所述源極走線和所述漏極走線之間設(shè)置一個(gè)所述單元行，且不同組走線之間，所述源極走線和所述漏極走線不共用。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

每一所述單元內(nèi)，所述半導(dǎo)體分支的數(shù)量Q大于或等于2，且各所述半導(dǎo)體分支平行且間隔設(shè)置；且每一所述半導(dǎo)體分支的溝道在襯底基板上的正投影呈連續(xù)帶狀，所述源極分支和所述漏極分支中的其中一個(gè)的數(shù)量大于或等于2，另一個(gè)的數(shù)量大于或等于1，所述源極分支和所述漏極分支沿所述半導(dǎo)體分支的帶狀延伸方向交替排列，而呈叉指狀電極排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

每一所述單元內(nèi)，所述半導(dǎo)體分支的數(shù)量Q大于或等于2，且各所述半導(dǎo)體分支平行且間隔設(shè)置，且每一所述半導(dǎo)體分支的溝道在襯底基板上的正投影呈不連續(xù)帶狀，并形成相互獨(dú)立的多段溝道，每一段溝道分別連接至少一個(gè)源極分支和至少一個(gè)漏極分支。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

每一所述單元內(nèi)，所述半導(dǎo)體分支的數(shù)量Q大于或等于2，且各所述半導(dǎo)體分支平行且間隔設(shè)置，且至少一個(gè)所述半導(dǎo)體分支的溝道在襯底基板上的正投影呈連續(xù)帶狀，

至少一個(gè)所述半導(dǎo)體分支的溝道在襯底基板上的正投影呈不連續(xù)帶狀，并形成相互獨(dú)立的多段溝道，

所述源極分支和所述漏極分支中的其中一個(gè)的數(shù)量大于或等于2，另一個(gè)的數(shù)量大于或等于1，所述源極分支和所述漏極分支沿所述半導(dǎo)體分支的帶狀延伸方向交替排列，而呈叉指狀電極排列，其中每一段所述溝道上連接至少一個(gè)所述源極分支和至少一個(gè)所述漏極分支。