[發明專利]一種低摩擦無軸靜電感應馬達

有效

• 申請號: 202010596857.X
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111817601B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 鄭泉水;向小健
• 申請（專利權）人: 深圳清華大學研究院;清華大學
• 主分類號: H02N1/00
• 分類號: H02N1/00
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種低摩擦無軸靜電感應馬達，包括定子、轉子和基底支撐層(11)，所述定子包括至少2對驅動電極，其特征在于：所述轉子包括超滑片(10)和用于產生靜電感應轉矩的介電材料層(9)，所述介電材料層(9)固定設置于超滑片(10)上，所述超滑片(10)設置于基底支撐層(11)上，所述基底支撐層(11)具有原子級光滑表面，所述超滑片(10)和介電材料層(9)的截面均為圓形，且所述超滑片(10)與所述基底支撐層(11)之間相對旋轉，所述基底支撐層(11)與所述超滑片(10)接觸的部分的截面直徑不小于超滑片(10)的截面直徑。

2.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述驅動電極對稱分布。

3.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述驅動電極至少為3對。

4.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述超滑片(10)的材料是石墨烯、二硫化鉬、鉍、鉬或云母。

5.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述超滑片(10)的材料是HOPG。

6.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述超滑片(10)的材料是石墨。

7.如權利要求1所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述超滑片(10)的厚度為100nm～10μm，直徑為1um-100um。

8.如權利要求1-7任一項所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述基底支撐層(11)的材料為高阻硅。

9.如權利要求1-7任一項所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述基底支撐層(11)與所述超滑片(10)接觸的部分的截面為圓形。

10.如權利要求1-7任一項所述的低摩擦無軸靜電感應馬達，其特征在于，所述基底支撐層(11)與所述超滑片(10)接觸的部分的截面直徑略大于超滑片(10)的截面直徑。