[發明專利]光學鄰近修正方法和掩膜版的制作方法在審
| 申請號: | 202010594925.9 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN113835293A | 公開(公告)日: | 2021-12-24 |
| 發明(設計)人: | 王占雨;朱繼承;王何寧;胡月 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 鄰近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
1.一種光學鄰近修正方法,其特征在于,包括:
提供目標圖形;
根據若干經驗規則,分別對所述目標圖形進行模擬修正,獲取與各經驗規則對應的模擬修正圖形;
根據若干模擬修正圖形,獲取參考經驗規則;
根據所述參考經驗規則,對所述目標圖形進行第一修正處理,獲取第一目標修正圖形;
對所述第一目標修正圖形進行第二修正處理,獲取第二目標修正圖形,所述第二目標修正圖形的第一邊緣放置誤差在預設范圍之內。
2.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,根據若干經驗規則,分別對所述目標圖形進行模擬修正,獲取與各經驗規則對應的模擬修正圖形的方法包括:根據經驗規則,分別對所述目標圖形的邊緣進行偏移處理,獲取與各經驗規則對應的模擬偏移圖形;分別對各模擬偏移圖形進行模擬曝光,獲取與各經驗規則對應的模擬修正圖形。
3.如權利要求2所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述偏移處理的偏移量X包括:奈奎斯特值/3、奈奎斯特值/6或者奈奎斯特值/12。
4.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,根據若干模擬修正圖形,獲取參考經驗規則的方法包括:獲取各模擬修正圖形的第二邊緣放置誤差;獲取若干第二邊緣放置誤差中的最小值;將所述最小值對應的模擬修正圖形作為參考圖形;將所述參考圖形對應的經驗規則作為參考經驗規則。
5.如權利要求3所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第二修正處理的方法包括:根據若干模擬修正圖形,獲取第二修正模型;根據所述第二修正模型,對所述第一目標修正圖形進行多次光學鄰近修正迭代。
6.如權利要求5所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,根據若干模擬修正圖形,獲取第二修正模型的方法包括:根據各經驗規則進行的N次偏移,獲取N個偏移量X、以及與各經驗規則對應的N個模擬修正圖形的位置信息C(X);根據N個偏移量X和N個位置信息C(X),獲取修正系數dc/dx;根據修正系數dc/dx,得到第二修正模型為,
Xi表示第二修正處理中的第i次光學鄰近修正的偏移量,Ci-1-T表示第二修正處理中進行的第i-1次光學鄰近修正的第三邊緣放置誤差,T表示目標圖形的位置信息。
7.如權利要求6所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,根據N個偏移量X和N個位置信息C(X),獲取所述修正系數dc/dx,
C0表示偏移量為0時的模擬修正圖形的位置信息,C3表示根據經驗規則,偏移量X為奈奎斯特值/3的模擬修正圖形的位置信息,C6表示根據經驗規則,偏移量X為奈奎斯特值/6的模擬修正圖形的位置信息,C12表示根據經驗規則,偏移量X為奈奎斯特值/12的模擬修正圖形的位置信息。
8.如權利要求6所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,根據所述第二修正模型,對所述第一目標修正圖形進行多次光學鄰近修正迭代的方法包括:獲取目標修正圖形;獲取目標修正圖形的第三邊緣放置誤差;根據第二修正模型和第三邊緣放置誤差,對所述目標修正圖形進行一次光學鄰近修正,獲取光學鄰近修正圖形;獲取光學鄰近修正圖形的第一邊緣放置誤差;當所述光學鄰近修正圖形的第一邊緣放置誤差在預設范圍之外時,進行下一次光學鄰近修正。
9.如權利要求8所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,獲取目標修正圖形的方法為:進行第一次光學鄰近修正時,將第一目標修正圖形作為目標修正圖形。
10.如權利要求8所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,獲取目標修正圖形的方法為:進行第一次光學鄰近修正以后的任一次光學鄰近修正時,將前一次光學鄰近修正后的光學鄰近修正圖形作為下一次光學鄰近修正的目標修正圖形。
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