[發明專利]制造集成電路器件的方法

在審

• 申請號: 202010589566.8
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN111785688A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 鄭鏞國;樸起寬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種制造集成電路器件的方法，該方法包括：

在基板的第一區域中形成第一鰭型有源區以及在所述基板的第二區域中形成第二鰭型有源區；

在所述基板上形成間隔物層，所述間隔物層覆蓋所述第一鰭型有源區和所述第二鰭型有源區；以及

蝕刻所述間隔物層、所述第一鰭型有源區和所述第二鰭型有源區以同時形成所述第一鰭型有源區上的第一凹陷、所述第二鰭型有源區上的第二凹陷以及第一鰭絕緣間隔物，所述第一鰭絕緣間隔物是所述間隔物層的第一剩余部分，該第一剩余部分覆蓋所述第一凹陷下面的所述第一鰭型有源區的側壁。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在所述蝕刻中，所述第二凹陷下面的所述第二鰭型有源區的側壁在所述第一鰭絕緣間隔物的形成期間被暴露。

3.如權利要求1所述的方法，其中，在所述蝕刻中，在所述第一鰭絕緣間隔物的形成期間還形成第二鰭絕緣間隔物，所述第二鰭絕緣間隔物覆蓋所述第二凹陷下面的所述第二鰭型有源區的側壁。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第二鰭絕緣間隔物的高度小于所述第一鰭絕緣間隔物的高度。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一凹陷的深度小于所述第二凹陷的深度。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括干蝕刻和濕清潔，所述干蝕刻和所述濕清潔按此陳述的次序被執行。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻還在所述干蝕刻之后，在所述濕清潔之前，包括用于損壞所述間隔物層的至少一部分的預處理。

8.如權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻還在所述干蝕刻之后，在所述濕清潔之前，包括施加等離子體至所述間隔物層的至少一部分，所述等離子體由包括CF₄、O₂、He、HBr、NF₃、Ar、Cl₂、N₂、CH₃F、CH₄或者其組合的氣體獲得。

9.如權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻還在所述干蝕刻之后，在所述濕清潔之前，包括注入離子至所述間隔物層的至少一部分內，所述離子由包括Ge、BF₂、As或其組合的氣體獲得。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述間隔物層包括SiOCN、SiCN或其組合。

11.一種制造集成電路器件的方法，該方法包括：

在基板的第一區域中形成第一鰭型有源區和第一器件隔離層以及在所述基板的第二區域中形成第二鰭型有源區和第二器件隔離層，所述第一器件隔離層覆蓋所述第一鰭型有源區的兩個下部側壁，所述第二器件隔離層覆蓋所述第二鰭型有源區的兩個下部側壁；

在所述第一器件隔離層上形成第一虛設柵極結構以及在所述第二器件隔離層上形成第二虛設柵極結構，所述第一虛設柵極結構覆蓋所述第一鰭型有源區，所述第二虛設柵極結構覆蓋第二鰭型有源區；

形成間隔物層，所述間隔物層覆蓋所述第一鰭型有源區、所述第二鰭型有源區、所述第一虛設柵極結構和所述第二虛設柵極結構；以及

蝕刻所述間隔物層、所述第一鰭型有源區和所述第二鰭型有源區以同時形成第一柵極絕緣間隔物、第二柵極絕緣間隔物、在所述第一鰭型有源區上的第一凹陷、在所述第二鰭型有源區上的第二凹陷以及第一鰭絕緣間隔物，所述第一柵極絕緣間隔物包括所述間隔物層的第一部分并覆蓋所述第一虛設柵極結構的兩個側壁，所述第二柵極絕緣間隔物包括所述間隔物層的第二部分并覆蓋所述第二虛設柵極結構的兩個側壁，并且所述第一鰭絕緣間隔物包括所述間隔物層的第三部分并覆蓋所述第一鰭型有源區的在所述第一器件隔離層和所述第一凹陷之間的側壁。