[發(fā)明專利]一種改善方片邊緣涂膠風紋的方法

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• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111722474A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 張德強;樸勇男;邊疆;王延明;藺偉聰
• 申請（專利權）人: 沈陽芯源微電子設備股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 于曉波

本發(fā)明公開了一種改善方片邊緣涂膠風紋的方法，屬于光刻膠涂膠工藝技術領域。該工藝采用了一種密閉型晶圓承片臺，使得方片可以在封閉的腔體內進行涂膠工藝。該方法能夠使在光刻膠涂覆過程中，方片表面可以均勻的形成一層膠膜，尤其對于8英寸方片，可使得邊緣風紋降至5mm以內，使得方片利用率高達99％以上。

技術領域

本發(fā)明涉及光刻膠涂膠工藝技術領域，具體涉及一種改善方片邊緣涂膠風紋的方法。

背景技術

光刻工藝是整個微電子集成電路制造工藝流程中最重要的工藝步驟，光刻工藝主要包括涂膠、曝光與顯影等，隨著晶圓尺寸變大和對晶圓利用率的提高，對于涂膠工藝中降低邊緣缺陷要求也在提高。

其中，在顯示領域OLED產品的迅速發(fā)展，使得玻璃基板成為顯示面板的重要原材料之一，而玻璃基板中多以方形基片為主，如何提高方片的使用率以及方片表面涂膠均勻性成為制約方片使用的關鍵因素。

大量研究表明，方片的涂膠均勻性差、利用率低主要來自于方片邊緣處所產生的風紋，風紋的起始位置在于方片的內切圓處，內切圓內可獲得良好的涂膠均勻性，內切圓外可見環(huán)狀風紋。風紋的主要成因是由于內切圓外不規(guī)則區(qū)域所受離心力有差異。

發(fā)明內容

為了克服現(xiàn)有技術中存在的上述不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種改善方片邊緣涂膠風紋的方法，該方法通過改善涂膠腔體內部環(huán)形流場及濕度，加速了光刻膠在方片內切圓外流動效果，從而可以極大的改善方片邊緣風紋情況，使得同樣工藝條件下方片風紋由20-45mm寬降到5mm以內，方片利用面積可提高至99％以上。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術方案如下：

一種改善方片邊緣涂膠風紋的方法，該方法是針對方片進行涂覆光刻膠的過程中，通過調整涂膠腔體內部環(huán)形流場及濕度，加速了光刻膠在方片內切圓外流動效果，從而減小方片邊緣風紋面積；該方法具體包括如下步驟：

(1)將方片送入帶有密閉腔體的涂膠單元內，采用涂膠噴嘴將光刻膠噴灑于方片中心處，承片臺帶動方片轉動，光刻膠均勻的涂覆在方片表面；

(2)涂膠完成后，將方片送入熱板烘烤，完成光刻膠固化。

所述涂膠單元設有密閉腔體，承片臺上部設于密閉腔體內，所述密閉腔體包括上蓋，上蓋通過螺釘與密閉腔體可拆卸連接；密閉腔體的上蓋上開有噴膠口，涂膠噴嘴可在噴膠口位置平移并向方片噴灑光刻膠。

所述光刻膠(厚膜光刻膠)的涂布厚度為1～3μm。

步驟(1)中，光刻膠涂覆過程中，涂膠噴嘴平移速度為100～150mm/s，噴膠量為2～5ml，噴膠速度為0.5～2ml/s，方片(承片臺)轉速500～3500r/min。

步驟(2)中，熱板的烘烤溫度為90～120℃，烘烤時間為90～120s。

所述方片為8英寸方片時，經所述方法處理后，方片上涂膠風紋寬度小于5mm。

本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果如下：

本發(fā)明提供了一種針對方片表面涂覆粘度系數(shù)小、易揮發(fā)的光刻膠的涂膠工藝，采用封閉型腔體，一方面封閉型腔體避免了外界風流影響，加大了腔體內部濕度，使得光刻膠在方片內切圓外流動性更強；另一方面，密閉腔體隨方片轉動而轉動，內部氣流也隨密閉腔體轉動形成環(huán)形流場，更加加速光刻膠在方片邊緣的流動效果，從而達到改善方片邊緣風紋的效果。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所用涂膠單元正視示意圖。

圖2是本發(fā)明涂膠腔體俯視示意圖。

圖3是實施例1結果示意圖。

圖4是傳統(tǒng)涂膠單元示意圖。