[發明專利]可區塊電測的Micro LED晶圓及轉移方法

在審

• 申請號: 202010582346.2
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111785751A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 劉丹丹;劉權鋒;蒙健佳;盧敬權
• 申請（專利權）人: 東莞市中晶半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/66;H01L21/67;G09F9/33
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

本發明提供一種可區塊電測的Micro LED晶圓及轉移方法，晶圓包括多個Micro LED區塊，每個Micro LED區塊包括襯底、多個Micro LED單元、第一測試電極墊、第二測試電極墊、第一互連線及第二互連線，Micro LED單元具有第一芯片電極和第二芯片電極，第一芯片電極通過第一互連線與第一測試電極墊連接，第二芯片電極通過第二互連線與第二測試電極墊連接。本發明通過第一測試電極墊及所述第二測試電極墊，可以一次性對區塊里的所有Micro LED單元進行電測，獲取該區塊里的所有的Micro LED單元的電性參數及光學參數，篩選出符合要求的區塊，用于后續顯示面板的制備，具有操作簡單、高效率的優點。

技術領域

本發明涉及一種屬于Micro LED設計及制造領域，特別是涉及一種可區塊電測的Micro LED晶圓、Micro LED的轉移方法以及Micro LED顯示面板的制作方法。

背景技術

在LED芯片的應用中，普通LED芯片的應用以照明與顯示器背光模塊為主，當前迅猛發展的Mini LED則以戶內、戶外顯示屏等為主要應用方向。但是在許多對尺寸和PPI要求更高的應用上現有技術并不能滿足要求，因此Micro LED技術作為一種全新的顯示技術應運而生，其應用概念跟前兩者則完全不同，可應用在穿戴式的手表、手機、車用顯示器、VR/AR、電視等領域，被認為是終極的顯示技術。

從技術迭代角度，Micro LED要求更小的芯片尺寸以實現更小的像素間距。當前在外延生長設備、工藝及芯片工藝上存在瓶頸，LED晶圓內芯片的波長峰值分布較寬，可達10nm，而Mini LED及Micro LED顯示均要求芯片發光波長分布在較窄的范圍，防止出現人眼可識別的區塊顏色差異?，F有的解決方案是通過波長進行分選，分選后的芯片進行重新排列，在電路板上鍵合，此方法存在著分選量巨大，芯片利用率低，轉移效率低的問題。

而在Micro LED顯示階段，LED芯片尺寸微小，無法進行常規的電性測量，也無法進行分選。因此，如何進行Micro LED芯片的電性測量，保證芯片波長的一致性，提升巨量轉移速率及良率，成為本領域技術人員亟待解決的重要技術問題。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種可區塊電測的MicroLED晶圓及轉移方法，用于解決現有技術中Micro LED芯片尺寸過小而難以進行常規的電性測量及批量轉移的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種可區塊電測的Micro LED晶圓，所述Micro LED晶圓包括多個Micro LED區塊，每個所述Micro LED區塊包括襯底、多個Micro LED單元、第一測試電極墊、第二測試電極墊、第一互連線及第二互連線，所述MicroLED單元具有第一芯片電極和第二芯片電極，同一Micro LED區塊內，所述第一芯片電極通過所述第一互連線與所述第一測試電極墊連接，所述第二芯片電極通過所述第二互連線與所述第二測試電極墊連接。

可選地，同一所述Micro LED區塊內的每個所述Micro LED單元的第一芯片電極通過所述第一互連線并聯后與所述第一測試電極墊連接，每個所述Micro LED區塊內的所述Micro LED單元的第二芯片電極通過所述第二互連線并聯后與所述第二測試電極墊連接，所述第一互連線及第二互連線的交叉處由絕緣介質隔離。

可選地，通過所述第一測試電極墊及所述第二測試電極墊一次性對所述MicroLED區塊內的所有Micro LED單元進行電測，獲取該Micro LED區塊內的Micro LED單元的電性參數及光學參數，所述電性參數及光學參數包括電致發光波長、亮度、正向導通電壓及反向漏電流中的一種或多種。

可選地，所述Micro LED晶圓上的各個Micro LED區塊之間的電性相互獨立。

可選地，各個所述Micro LED區塊內所有Micro LED單元的電性參數及光學參數一致。